法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-07-01
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/324 变更前: 变更后: 登记生效日:20150610 申请日:20091130
专利申请权、专利权的转移
2014-06-25
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/324 变更前: 变更后: 申请日:20091130
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-04-11
授权
授权
2012-02-22
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/324 变更前: 变更后: 变更前:
专利申请权、专利权的转移
2010-08-11
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/02 申请日:20091130
实质审查的生效
2010-06-09
公开
公开
查看全部
机译: 形成在p型硅形成物的表面上的金属硅化物形成物和形成在半导体的表面上的所述p型硅形成物。
机译: 用于表面电阻率测量的探针和用于测量表面电阻率的方法
机译: 用于表面电阻率测量的探针和用于测量表面电阻率的方法