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【2h】

Contact resistivity measurement of silicide ohmic contacts to silicon p-type by Transmission Line Method

机译：通过传输线法将硅化物欧姆触点的接触电阻率测量硅P型

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R. B. Burlakov;
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年度 2018
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1. Low-Ohmic Contacting of Laser-Doped p-Type Silicon Surfaces with Pure Ag Screen-Printed and Fired Contacts [J] . Elmar Lohmueller, Sabrina Werner, Mohammad Hassan Norouzi, Physica status solidi . 2017,第12期

机译：激光掺杂的p型硅表面与纯Ag丝网印刷和烧结触点的低欧姆接触
2. Titanium Silicide on Si:P With Precontact Amorphization Implantation Treatment: Contact Resistivity Approaching 1×10−9 Ohm-cm2 [J] . Hao Yu, Marc Schaekers, Anthony Peter, IEEE Transactions on Electron Devices . 2016,第12期

机译：Si：P上经过预接触非晶化注入处理的硅化钛：接触电阻率接近1×10−9 Ohm-cm2
3. Ohmic contacts on n-type and p-type cubic silicon carbide (3C-SiC) grown on silicon [J] . Spera M., Greco G., Lo Nigro R., Materials science in semiconductor processing . 2019,第期

机译：在硅片生长的N型和P型立方碳化硅（3C-SIC）上的欧姆接触
4. Low Specific Contact Resistivity Measurements using a New Test Structure and its Reduction to 10⁻⁹ ohm-cm² in p-type SiGe/Metal Contacts using Flash Lamp Annealing [C] . Hideaki Tanimura, Hikaru Kawarazaki, Takayuki Aoyama, International Workshop on Junction Technology . 2019

机译：使用新型测试结构的低比接触电阻率测量，以及使用闪光灯退火的p型SiGe /金属触点将其降低至10 ^{−9 ohm-cm ²}
5. Low resistivity contact methodologies for silicon, silicon germanium and silicon carbon source/drain junctions of nanoscale CMOS integrated circuits. [D] . Alptekin, Emre. 2009

机译：用于纳米级CMOS集成电路的硅，硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
6. Comparison of nickel silicide and aluminium ohmic contact metallizations for low-temperature quantum transport measurements [O] . Craig M Polley, Warrick R Clarke, Michelle Y Simmons 2011

机译：低温量子传输测量中硅化镍和铝欧姆接触金属化的比较
7. Synthesis and characterisation of silicide thin films for evaluation of specific contact resistivity of multi-layered silicon-based ohmic contacts [O] . Bhaskaran M 2009

机译：用于评估多层硅基欧姆接触的比接触电阻率的硅化物薄膜的合成和表征

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