具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究

摘要

对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究.利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P-/P+/P/P+型硅外延层.通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性＜3％、电阻率不均匀性＜3％、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求.