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王文林; 闫锋; 李杨; 陈涛;
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
化学气相沉积; 硅外延层; 电阻率均匀性; 厚度均匀性;
机译:RPCVD法在硅衬底上制备高质量的应变硅锗
机译:MOCVD法生长蓝光LED外延片的光致发光研究
机译:大面积大气压等离子增强CVD制成的高质量SiO2层:通过表面分析进行沉积工艺研究
机译:远程等离子体CVD法用有机硅制备SiC薄膜
机译:使用基于栅格的三极管射频等离子增强化学气相沉积法获得高质量的非晶态晶体硅异质结构。
机译:使用超薄Pt催化剂通过PECVD在GaN LED外延片上生长类似于石墨烯的无转移薄膜用于透明电极应用
机译:RPCVD法在Si衬底上制备高质量的应变SiGe
机译:mOCVD制备高质量薄膜
机译:硅外延片和硅外延片杂质吸收能力的评估方法
机译:硅外延片的制造方法,硅外延片和固态成像装置的制造方法
机译:生产硅外延片的方法及硅外延片
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