Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD

机译：RPCVD法在Si衬底上制备高质量的应变SiGe

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ZhongYing Xue; Da Chen; LinJie Liu; HaiTao Jiang; JianTao Bian; Xing Wei; ZengFeng Di; Miao Zhang; Xi Wang;
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年度 2012
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1. Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD [J] . XUE ZhongYing, CHEN Da, LIU LinJie, 中国科学通报：英文版 . 2012,第015期

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2. FABRICATION OF STRAINED-Si CHANNEL P-MOSFET's ON ULTRA-THIN SiGe VIRTUAL SUBSTRATES [J] . 电子科学学刊（英文版） . 2006,第002期

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