一种用于N型硅外延片电阻率测量前的表面热处理工艺

摘要

一种用于N型硅外延片电阻率测量前的表面热处理工艺，它包括以下步骤：(1)将硅片装入炉腔；(2)以氮气置换系统，抽真空；(3)加热升温至400-600℃；(4)恒温，通入氮气、氧气和水蒸气，该水蒸汽以氮气为载气；在恒温过程中引入紫外线光，使得气氛中的氧气生成臭氧，促进表面自然氧化膜的生成；(5)降温。本发明的优点是：耗时较短，由于电阻率的测量一般在外延工艺的调试前期，和外延工艺日常生产的质量控制，过长的表面处理时间会导致获取电阻率信息的滞后，本工艺处理的目的只是将自然氧化层致密化，同时消除表面的悬挂键。经过本工艺处理的硅外延片，在环境中放置超过6小时后，其热处理效应自然消除，经过本专利处理后的硅片表面基本不会增加颗粒，本工艺不受硅片表面的原始状态的限制。