公开/公告号CN101447231B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 海力士半导体有限公司;
申请/专利号CN200810129104.7
申请日2008-06-23
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人杨林森
地址 韩国京畿道利川市
入库时间 2022-08-23 09:08:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-02-22
授权
授权
2009-07-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-03
公开
公开
机译: 非易失性存储器件擦除方法,例如用于计算机系统的NAND闪存设备,涉及在同时擦除的存储单元的字线的不同偏压条件下重复执行擦除验证操作
机译: 擦除非易失性存储器件中的数据的方法,执行相同和存储器控制器的非易失性存储器件
机译: 具有处理器和多个存储器的非易失性存储装置,其中一个或多个是具有当处理器向非易失性存储器指定擦除操作模式时执行擦除操作和擦除验证操作的电路的非易失性存储器