首页> 外国专利> METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME AND MEMORY CONTROLLER PERFORMING THE SAME

METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME AND MEMORY CONTROLLER PERFORMING THE SAME

机译:擦除非易失性存储器件中的数据的方法,执行相同和存储器控制器的非易失性存储器件

摘要

In a method of erasing data in a nonvolatile memory device including one or more memory blocks, a plurality of memory cells are disposed in a vertical direction in each memory block. An erase loop is performed once or more on an entire of a first memory block in the one or more memory blocks. After the erase loop is successfully completed, a first partial verification operation is performed on one or more groups of a plurality of groups in the first memory block. After the first partial verification operation is successfully completed, it is determined whether a second partial verification operation is required for a group of the one or more groups. The second partial verification operation is performed on one or more subgroups of a plurality of subgroups in a first group requiring the second partial verification operation among the plurality of groups.
机译:在擦除包括一个或多个存储器块的非易失性存储器设备中的数据的方法中,多个存储器单元在每个存储块中以垂直方向设置。 在一个或多个存储器块中的整个第一存储器块上执行一次或多次执行擦除循环。 在成功完成擦除循环之后,在第一存储块中的多个组的一个或多个组上执行第一部分验证操作。 在成功完成第一部分验证操作之后,确定一个或多个组的组是否需要第二部分验证操作。 在需要多个组中的第二部分验证操作的第一组中的多个子组的一个或多个子组的一个或多个子组执行第二部分验证操作。

著录项

  • 公开/公告号US2022013178A1

    专利类型

  • 公开/公告日2022-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号US202117199062

  • 发明设计人 SUNKYU YANG;WONTAECK JUNG;

    申请日2021-03-11

  • 分类号G11C16/16;G11C16/34;G11C16/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 23:20:26

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号