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焦童;
合肥工业大学;
机译:新型非易失性L1 / L2 / L3高速缓存存储器层次结构,使用具有电压感应磁化开关和超低功耗MTJ的非易失性SRAM
机译:三端旋转轨道扭矩磁存储器件 - 目的是实现高速低功耗非易失性集成电路
机译:基于铟镓基于特定的自组装锗量子点门的非易失性存储器件
机译:基于氮化物的局部电荷陷阱非易失性存储器件的阈值电压不稳定性。
机译:基于铜酞菁的非易失性存储器件薄膜
机译:一种快速低功耗的基于微机电系统的非易失性存储器件
机译:基于磁性半导体纳米结构的新型非易失性存储器件用于太比特集成
机译:非易失性存储器件的设计方法,非易失性存储器件的制造方法以及非易失性存储器件
机译:基于对应于高速缓存和非易失性存储器的速率,平衡缓存和非易失性存储器之间的平衡缓存
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