用于检测薄弱单元的SRAM测试方法和SRAM测试设备

摘要

公开了一种方法和测试设备，用于测试具有连接在一对位线之间的第一单元和第二单元的SRAM。在第一步骤中(410)，将数据值存储在作为受测试的单元(CUT)的第一单元中，并且将其补数存储在作为基准单元的第二单元中。接下来，将位线预充电到预定电压(步骤420)。随后，例如通过向基准单元的字线提供多个电压脉冲，启用所述字线达到预定时间段。这引起了与基准单元的逻辑“0”节点相连的位线的电压降落。在随后的步骤(440)中，启用CUT的字线，将CUT暴露于电压减小的位线。这与较差地重写CUT是等效的。最后，评价CUT中的数据值。如果所述数据值已经翻转，则CUT是薄弱单元。可以通过改变上述位线上的已减小电压来检测不同薄弱水平的单元。