机译:具有位线功耗降低和访问时间增强的SRAM单元单端读取端口的感应电路
机译:具有优化的泄漏功率和增强的性能的PMOS读取端口8T SRAM单元
机译:减少10T SRAM单元的解码器和读出放大器电路的功率
机译:使用不同的阈值电压和高性能输出降噪电路对SRAM单元进行功率,延迟和噪声优化
机译:设计和分析稳健的可变性SRAM,以预测最佳访问时间,以实现未来纳米级CMOS的良率提高。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:具有位线功耗降低和访问时间增强的SRAM单元单端读取端口的感应电路