击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管

摘要

一种双极绝缘体上硅晶体管，包括具有主表面的衬底(1)，所述主表面上的氧化层(2)，所述氧化层(2)上具有第一导电类型的硅层(3)，延伸进入所述硅层(3)具有第二导电类型的基区(4)，延伸进入所述基区(4)具有第一导电类型的发射区(5)，以及距所述基区(4)一段横向距离延伸进入所述硅层(3)具有所述第一导电类型的集电区(6)，所述第二导电类型的插入区(8)延伸进入所述硅层(3)到达临近所述集电区(6)的所述发射区(5)相对侧的所述氧化层(2)，所述插入区(8)的部分(8’)在至少部分发射区(5)下距基区(4)的下表面一段距离沿氧化层(2)的表面横向地向集电区(6)延伸，并且所述插入区电连接到所述基区(4)。