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谭宗新; 徐立生; 高兆丰;
中国电子学会;
反向击穿; 复合电流; 晶体管;
机译:具有雪崩击穿引起的微等离子体的GaAsP二极管中的反向偏置P-N结噪声
机译:通过适当的背面布局设计来提高反向导通绝缘栅双极型晶体管的结终端的可靠性
机译:研究大块和基本螺钉错位有助于低压(> 250 V)4H-SiC p / sup +/- n结二极管的反向击穿。二。动态击穿特性
机译:漏极结反向电流使热孔引起的器件性能下降
机译:功率开关应用的异质结双极型晶体管。
机译:反向翻转技术:一种替代方法用于在交替的柱子上反向扭转半结
机译:紫外线氧化的磁性隧道结的可靠性:由单个陷阱引起的击穿前电流跳跃和击穿的统计模型
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性
机译:异质结双极型晶体管和异质结双极型晶体管的晶片
机译:介电击穿保护装置,解决了光继电器引起的耐用性下降的问题
机译:具有反向掺杂的集电极区域并增加取决于集电极的击穿电压的异质结双极晶体管
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