法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-01-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/115 授权公告日:20100512 终止日期:20121113 申请日:20061113
专利权的终止
2010-05-12
授权
授权
2008-12-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-05-30
公开
公开
机译: 用于例如数字照相机和移动电话的非易失性存储器件具有:具有沟槽结构的浮置栅极;在沟槽结构内部形成的控制栅极;以及设置在浮置栅极和控制栅极之间的栅极绝缘层。
机译: 在浮置栅极和栅极绝缘层之间具有浮置栅极盖的非易失性存储器件
机译: 具有在腔中形成的浮置栅极的非易失性浮置栅极存储单元及其阵列以及形成方法