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Symposium on thin film transistor technologies

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1.Raised source and drain structure of poly-Si TFTs

机译：Poly-Si TFT的升降源和排水结构
- 作者：Shusheng He;Jer-shen Maa;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
2.Thin gated Dielectric TFTs using damascene-gate structures

机译：使用镶嵌栅极结构薄的门控电介质TFT
- 作者：Eugene ma;Signurd Wagner;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
3.Effects of growth parameters on the performance of mu c-Si thin film transistors deposited using SiF_4

机译：生长参数对使用SIF_4沉积MU C-Si薄膜晶体管性能的影响
- 作者：Yu Chen;Sigurd Wagner;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
4.TShin film transistors fabricated at low thermal budgets in various types of polycrystalline silicon films on glass substrates

机译：Tshin薄膜晶体管在玻璃基板上的各种类型多晶硅膜中的低热预算制造
- 作者：D.N.Kouvatsos;A.T.Voutsas;M.K.Hatalis;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
5.Properties of cat-cvd silicon films used in TFT

机译：TFT中使用的CAT-CVD硅胶膜的性质
- 作者：Hideki Matsumura;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
6.SOlid phase crystallization of amorphous silicon by rapid thermal processing for flat panel displany applicatons

机译：通过快速热处理进行平板显示应用的固态硅的固相结晶
- 作者：M.K.Hatalis;M.Stewart;H.Hovagmian;J.Mehlhaff;R.Green;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
7.Passive and active materix liquid crystal displays with plastic substrates

机译：无源和有源矩阵液晶显示器，塑料基材
- 作者：Ernst Lueder;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
8.Performance and reliability of poly-Si TFTs on glass substrates

机译：玻璃基板多Si TFT的性能和可靠性
- 作者：J.Greg Coullard;Chad B.Moore;Frank P.Fehlner;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
9.Polycrystalline silicon thin film transistors with gate oxides deposited by lpcvd using tetrathlorthosilicate (TEOS)

机译：使用四际硅酸盐（TEOS），通过LPCVD沉积具有栅氧化物的多晶硅薄膜晶体管
- 作者：D.N.Kouvatsos;V.E.Vamvakas;D.Davazoglou;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
10.Polycrystalline s ilicon thin film transistor using Co induced MIC

机译：使用CO诱导麦克风的多晶S ILICON薄膜晶体管
- 作者：Jong Kab Park;Sung Hun KIm;Woo Sung Shon;Seong Jin Park;Jin Jang;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
11.Mmcro-structures in vertical amorphous-silicon thin-fim transistors

机译：垂直非晶硅薄膜晶体管中的宏观结构
- 作者：Akihiko Satoshi Awaya Naoki Suyama;Masakiyo Matsumura;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
12.An X-ray absorption study of Si_xO_yN_z films.

机译：SI_XO_YN_Z电影的X射线吸收研究。
- 作者：E.C.Paloura;M.katsikini;Agt;Markwitz;R.W.Michelemann;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
13.Room temperature sputter depsotion of polycrystalline ITO for photodetectors

机译：用于光电探测器的多晶ITO的室温溅射DEPSOTION
- 作者：Oqinghua Ma;Arokia Nathan;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
14.Technical issues for furture TFT-LCD fabrication

机译：未来TFT-LCD制造的技术问题
- 作者：Byung-Chul Ahn;In-Byeong Kang;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
15.Tetrahedrally bonded amorphous carbon for use in thin film transistors

机译：四面体键合的无定形碳，用于薄膜晶体管
- 作者：W.I.Milne;F.J.Clough;B.Kleinsorge;S.L.Maeng;S.Uchikoga;J.Robertson;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
16.Photo-learkage-current distribution in a-Si and poly-Si TFTs

机译：A-Si和Poly-Si TFT中的照片Lirecrage-Current分布
- 作者：Masatoshi Wakagi;masahiko ando;Tatsuya Ookubo;Akio Mimura;Tetsuroh Minemura;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
17.Performance study of self-aligned amorphous silicon thin-film transistor circuits

机译：自对准非晶硅薄膜晶体管电路的性能研究
- 作者：J.P.Lu;P.Mei;R.Lujan;J.B.Boyce;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
18.A high performance amorphous silicon thin film transistor with a polanarized gate

机译：具有波隆化栅极的高性能非晶硅薄膜晶体管
- 作者：Byung Cheon Lim;Young Jin Choi;Jin Jang;Michael Radler;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
19.Hydrogenation of amorphous silicon thin film transistors

机译：非晶硅薄膜晶体管的氢化
- 作者：Yue Kuo;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
20.A new poly-Si TFTs with low leakage current

机译：具有低漏电流的新多型TFT
- 作者：Min-Koo han;Cheol-Min Park;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
21.The effect of oxygen incorporation in ela poly-Si films and its relation to poly-Si TFT device performance

机译：氧气掺入在ELA Poly-Si膜中的影响及其与Poly-Si TFT器件性能的关系
- 作者：A.T.Voutsas;A.Marmorstein;R.Solanki;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
22.Poly-Si TFT fabrication and hydrogenation using a process compatible with plastic substrates

机译：使用与塑料基材相容的工艺的聚-SI TFT制造和氢化
- 作者：D.P.Gosain;S.Usui;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
23.Active matrix vacuum fluorescent display with CdSe:In TFTs

机译：具有CDSE的有源矩阵真空荧光显示：在TFT中
- 作者：Joeri De Vos;Sergei Stocukatch;Herber De Pauw;Herbert De Smet;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
- Active matrix VFD;
- cadmium selenide;
- thin-film transistors;
24.Ion assisted crystal grain nucleation in a-Si: a low temperaturre route towards poly-Si formation

机译：A-Si中的离子辅助晶粒含量：朝向多Si形成的低温途径
- 作者：Corrado Spinella;Salvatore Lombardo;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
25.Nickel induced lateral crystallization of amorphous silicon thin film transistor by arpid thermal anneal

机译：镍通过Arpid热退火诱导非晶硅薄膜晶体管的横向结晶
- 作者：lawrence K.lam;Szu-Ke Chen;Dieter G.Ast;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
26.Mechanisms underyling larkage current in inverted staggered a-Si:H thin film transistors

机译：倒置交错A-Si：H薄膜晶体管漏电流下面的机制
- 作者：R.V.R.murthy;a.Nathan;S.G.Chamberlaiin;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
27.Material properties of hot-wire deposited silicon TFTs

机译：热线沉积硅TFT的材料特性
- 作者：A.M.Brockhoff;H.Meiling;F.H.P.M.Habraken;R.E.I.Schropp;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
28.Modelling of thin-film transistors in a polycrystaline silicon layer with large craiins

机译：大蜡笔的多晶硅层中薄膜晶体管的建模
- 作者：A.J.G.SPiekerman;B.D.van Kijk;R.Ishihara;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
29.High-performance polycrystaline silicon tfts fabricated using the SPC and ELA methods

机译：使用SPC和ELA方法制造的高性能多晶硅TFT
- 作者：Hiroki Hamada;Yoichiro Aya;Hisashi Abe;Tomoyuki Nouda;Kiich Hirano;Yoshio Miyai.;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
30.Crystal grain nucleation in a-Si: a way to engineer the pooly-Si morphology

机译：A-Si中的水晶晶粒成核：一种工程师博彩 - Si形态的方法
- 作者：Corrado SPinella;Salvatore Lombardo;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
31.ROle of top nitride layer on stability and leakage current in a-Si:H thin flm transistors

机译：顶部氮化物层对A-Si：H薄FLM晶体管中稳定性和漏电流的作用
- 作者：R.V.R.Murthy;Q.Ma;A.Nathan;S.G.Chamberlain;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
32.Large-area amorphous silicon TFT-based X-ray image sensors for medical imaging and non destructure testing

机译：基于大区域非晶硅TFT的X射线图像传感器，用于医学成像和非破坏性测试
- 作者：Richard L.Weisfield;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
33.Polysilicon TFT hydrogenation using backside nitride layer

机译：使用背面氮化物层的多晶硅TFT氢化
- 作者：Lawrence K.Lam;Danny L.Chen;Dieter G.Ast;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
34.The technology and application of laser crystallised poly-Si TFTs

机译：激光结晶多Si TFT的技术与应用
- 作者：S.D.Brotherton;J.R.Ayres;C.a.Fisher;M.J.Trainor;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
35.Numerical extraction of capacitance in a-Si thin-fim transistors

机译：A-Si薄膜晶体管电容的数值提取
- 作者：H.H.Pham;A.Nathan;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
36.Evolution o f the signature of nitrogen related defects in the X-ray absorption spectra of n-rich SiN_2:H films.

机译：富含N-富型SIN_2：H薄膜X射线吸收光谱的氮素吸收光谱的签名。
- 作者：E.C.Paloura;J.Kanicki;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
37.High-quanlity l ow-temperature gate oxide for poly-Si TFTs

机译：用于多Si TFT的高Quanlity L OW温度栅极氧化物
- 作者：F.Okumura;K.Yuda;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
38.Fully-vs non-overlapping pixel configurations for direct x-ray detection: process and performance considerations

机译：完全-VS直接X射线检测的非重叠像素配置：过程和性能考虑
- 作者：B.Park;A.Nathan;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
39.Amorphous silicon transistors on ultrathin steel foil substrates

机译：超薄钢箔基材上的非晶硅晶体管
- 作者：Eugene Y.Ma;Sigurd Wagner;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
40.The effect of geometric overapping capacitance on leakage of a-Si:H thin film transistors

机译：几何覆盖电容对A-Si：H薄膜晶体管泄漏的影响
- 作者：D.pereira;A.Nathan;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
41.Lateral solid phase recrystallization(L-SPR) from the crystal seed selectrively formed by excimer laser annealing(ELA) in Ge-Ion-implanted A-Si films

机译：由GE离子植入A-Si膜中的准分子激光退火（ELA）中晶体形成的横向固相再结晶（L-SPR）
- 作者：Jin-Wook Seo;Satoru akyamna;Yoichiro Aya;Hiroki Hamada;Hiroshi Kuwano;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 1999年
42.Reducing Ni residues of Metal Induced Crystallization Poly-Si with a Simple Chemical Oxide Layer

机译：用简单的化学氧化物层还原金属诱导结晶多Si的Ni残留物
- 作者：Ming-Hui Lai;YewChung Sermon Wu
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
43.High Performance and Reliability of Poly-Si Thin-Film Transistors Using Nickel Drive-In Induced Laterally Crystallization

机译：多Si薄膜晶体管的高性能和可靠性使用镍驱动诱导横向结晶
- 作者：YewChung Sermon Wu;Chih-Pang Chang
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
44.Using Fluorine-ion Implanted a-Si Layer to Reduce Ni Contamination and Passivate the Defects in NILC poly-Si

机译：使用氟离子注入的A-Si层降低Ni污染并钝化NILC Poly-Si中的缺陷
- 作者：Chien-Chih Chen;YewChung Sermon Wu
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
45.High performance micro-crystalline silicon TFT using indirect thermal crystallization technique

机译：高性能微晶硅TFT使用间接热结晶技术
- 作者：Byung Gook Choi;Ki-Tae Kim;Jun Hyeon Bae;Sul Lee;Hong Koo Lee;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
46.Improved Electrical Performance of NILC Poly-Si TFTs Manufactured Using H_2SO_4 and HCI Solution

机译：改进了使用H_2SO_4和HCI溶液制造的NILC Poly-Si TFT的电性能
- 作者：Yu-Chung Chen;Yu-Cheng Chao;YewChung Sermon Wu
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
47.ELECTRICAL AND ENVIRONMENTAL STABILITY OF ORGANIC TRANSISTORS

机译：有机晶体管的电气和环境稳定性
- 作者：Javier Bedolla;John E. Northrup;Dagmawi Belaineh;Veit Wagner;Dietmar Knipp
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
48.Protection Layer Effects on the Device Performance of Oxide/Organic Hybrid TFTs

机译：保护层对氧化物/有机混合TFT的装置性能的影响
- 作者：Shinhyuk Yang;Sang-Hee Ko Park;MinKi Ryu;Doo-Hee Cho;Chi-Sun Hwang;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
49.Improved Performance of NILC Poly-Si Nanowire TFTs by Using Ni-Gettering

机译：通过使用Ni-Gettering提高NILC Poly-Si纳米线TFT的性能
- 作者：Bau-Ming Wang;Tzu-Ming Yang;YewChung Sermon Wu;Chun-Jung Su;Horng-Chih Lin
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
50.Capacitance Model for Thin-Film Transistors with Interface Traps

机译：具有界面陷阱的薄膜晶体管电容模型
- 作者：Hiroshi Tsuji;Yoshinari Kamakura;Kenji Taniguchi
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
51.Influence of Bank Structure on the Film Morphology and Electrical Properties of Ink-jet Printed TIPS Pentacene Thin-film Transistors

机译：银行结构对喷墨印刷提示薄膜薄膜晶体管薄膜形态和电性能的影响
- 作者：Yong-Hoon Kim;Min-Suk Oh;Sung Kyu Park;Min-Koo Han
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
52.Solution-processed oxide thin film transistors with indium zinc tin oxide semiconductor: Nitrogen effect

机译：溶液加工氧化物薄膜晶体管，具有铟锌氧化锌半导体：氮效
- 作者：Bong-Jin Kim;Hyung-Jun Kim;Sung Mok Jung;Tae-Sik Yoon;Yong-Sang Kim;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
53.The Influence of Electromechanical Stress on the Stability of Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors Made on Colorless Polyimide Foil

机译：机电应力对无色聚酰亚胺箔制造的纳米晶硅薄膜晶体管稳定性的影响
- 作者：I-Chung Chiu;Jung-Jie Huang;Yung-Pei Chen;I-Chun Cheng;Jian Z. Chen;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
54.Inkjet-patterned, Organic Complementary Circuits Integrated with Polymer Mechanical Sensors

机译：喷墨图案，有机互补电路与聚合物机械传感器一体化
- 作者：Tse Nga Ng;Jurgen Daniel;Sean Gamer;Brent Krusor;Beverly Russo;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
55.Polysilicon Source-Gated Transistors for Mixed-Signal Systems-on-Panel

机译：用于混合信号系统的多晶硅源门晶体管 - 面板
- 作者：Radu A. Sporea;Xiaojun Guo;J. M. Shannon;S. Ravi P. Silva
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
56.The effect of light illumination on transfer curve and stability of amorphous Hf-In-ZnO thin film transistors

机译：光照射对无定形HF-in-ZnO薄膜晶体管转移曲线的影响及稳定性
- 作者：Jeong Hwan Kim;Un Ki Kim;Yoon Jang Chung;Sang-Ho Rha;Hyung-Suk Jung;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
57.The stability of oxide TFTs under electrical gate bias and monochromatic light illumination

机译：电栅极偏压下氧化物TFT的稳定性和单色光照射
- 作者：Soo-Yeon Lee;Sun-Jae Kim;Young-Wook Lee;Sang-geun Park;Jang-Yeon Kwon;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
58.Amorphous oxide semiconductor memory using high-k charge trap layer

机译：使用高k电荷陷阱层的非晶氧化物半导体存储器
- 作者：S.-H. Rha;J. S. Jung;J. H. Kim;U. K. Kim;Y. J. Chung;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
59.The Effect of Illumination on the Negative Bias Temperature Instability in Zinc Tin Oxide Thin Film Transistors

机译：照明对氧化锌薄膜晶体管负偏置温度不稳定性的影响
- 作者：U. K. Kim;J. H. Kim;H. C. Oh;Y. J. Chung;C. S. Hwang
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
60.The AC-bias stability of short channel a-Si:H TFT

机译：短通道A-Si：H TFT的AC - 偏置稳定性
- 作者：Sang-geun Park;Soo-yeon Lee;Jong-Seok Woo;Juhn-Seok Yoo;Min-Koo Han
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
61.Study of the effect of electrical stress on ZnO TFTs

机译：电力应力对ZnO TFT的影响研究
- 作者：Liang-Yu Su;Hsin-Ying Lin;Sung-Li Wang;Yung-Hui Yeh;Chun-Cheng Cheng;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
62.Solution-processed Oxide Thin-Film Transistor with Spin-coated Zinc Tin Oxide Active Layer and Indium Zinc Oxide Source/Drain Electrodes

机译：溶液加工氧化物薄膜晶体管，具有旋涂镀锌氧化锡活性层和氧化铟锌源/漏电极
- 作者：Yong-Jin Kim;Jeong-Soo Lee;Yong-Uk Lee;Seung-Hwan Cho;Yong-Hoon Kim;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
63.Low Temperature Solution-Processed Zinc Tin Oxide Thin Film Transistor with O_2 Plasma Treatment

机译：低温溶液加工锌氧化锌薄膜晶体管，具有O_2等离子体处理
- 作者：Jeong-Soo Lee;Yong-Jin Kim;Yong-Uk Lee;Seung-Hwan Cho;Yong-Hoon Kim;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
64.Low Temperature, High-Performance, Solution-Processed Indium Oxide Based Thin Film Transistors

机译：低温，高性能，溶液加工氧化铟基薄膜晶体管
- 作者：Seung-Yeol Han;Gregory S. Herman;Chih-hung Chang
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
65.Towards EPC Compatible Plastic RFID Tags

机译：朝EPC兼容塑料RFID标签
- 作者：K. Myny;S. Steudel;P. Vicca;S. Smout;M. J. Beenhakkers;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
66.Mechanism and Performance of Floating-Gate a-Si:H TFT Nonvolatile Memory evices

机译：浮置A-Si的机制和性能：H TFT非易失性存储器件
- 作者：Yue Kuo
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
67.The Silicon Nanowire Accumulation-Mode MOSFETs

机译：硅纳米线累积模式MOSFET
- 作者：Jian Wu;Pranav Garg;Stephen J. Fonash
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
68.Characterization of Silicon-on-Glass Substrates using Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry

机译：使用可变角度光谱椭圆形测定法的硅片基材的表征
- 作者：R. D. Rettmann;J. G. Couillard;K. D. Hirschman
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
69.Low Voltage driven CMOS circuits based on Silicon on Glass

机译：基于硅硅的低压驱动CMOS电路
- 作者：M.H. Choi;J.W Choi;S. H. Park;W. J. Choi;M. Mativenga;J. Jang;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
70.Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors

机译：纳米晶硅薄膜晶体管
- 作者：M.R. E. Rad;G.R. Chaji;C.-H. Lee;D. Striakhilev;A. Sazonov;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
71.Improved Thermal Stability of Indium Zinc Oxide TFTs by Low Temperature Post annealing

机译：通过低温退火改善氧化铟锌TFT的热稳定性
- 作者：A. Indium;T. L. Alford
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
72.Characterization and Reliability of Gate-Ail-Around Poly-Si TFTs With Multi Nanowire Channels

机译：具有多纳米线通道的栅极 - AIL周围多Si TFT的特征与可靠性
- 作者：Han-Wen Liu;Si-Ming Chiou;Chung-En Hung;Fang-Hsing Wang
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
73.Nano-inkjet and Its Application to Metal-Induced Crystallization of a-Si for poy-Si TFTs

机译：纳米喷墨及其在Poy-Si TFT的金属诱导结晶的应用
- 作者：Tanemasa Asano;Yuji Ishida
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
74.Enhanced Performance and Thermal Stability of a-Si:H TFTs

机译：增强A-Si：H TFT的性能和热稳定性
- 作者：A. Indium;T. L. Alford
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
75.Improved Performance of Pentacene OTFT with HfLaO Gate Dielectric by Annealing in NH_3

机译：通过在NH_3中的退火通过退火改善了五烯OTFT与HFLAO栅极电介质的性能
- 作者：L. F. Deng;P. T. Lai;J. P. Xu;H. W. Choi;W. B. Chen;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
76.High Retention-Time Nonvolatile Amorphous Silicon TFT Memory For Static Active Matrix OLED Display Without Pixel Refresh

机译：高保留时间非易失性非晶硅TFT存储器，用于静态有源矩阵OLED显示器，无需像素刷新
- 作者：Yifei Huang;Bahman Hekmatshoar;Sigurd Wagner;James C. Sturm
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
77.Electrical characteristics of a reduced-gate structure polycrystalline silicon thin film transistor using field-aided lateral crystallization

机译：使用励磁辅助横向结晶的减栅结构多晶硅薄膜晶体管的电气特性
- 作者：Jung Sun You;Kwang Jin Lee;Duck Kyun Choi;Young Bae Kim
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
78.Characteristics of Zinc Oxide Thin Film Transistors Fabricated by Location-Controlled Hydrothermal Method

机译：氧化锌薄膜晶体管采用定位控制水热法制造的特性
- 作者：P. Y. Yang;J. L. Wang;W. C. Tsai;S. J. Wang;P. C. Chen;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
79.Reliability of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors on the glass substrate

机译：玻璃基板上的多晶硅薄膜晶体管的可靠性
- 作者：Sung-Hwan Choi;Min-Koo Han
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
80.Electrical and Mechanical Behaviors of Microcrystalline TFTs Deposited on PEN

机译：沉积在笔上的微晶TFT的电气和机械行为
- 作者：S. Janfaoui;K. Kandoussi;C. Simon;N. Coulon;S. Crand;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
81.Stabilities of TFTs Under Bias-Stress

机译：偏压下的TFT稳定性
- 作者：Jin Jang;Mallory Mativenga;Jae Won Choi
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
82.High Field Induced Stress Suppression of GIDL Effects in Accumulation-Mode P-Channel TFTs

机译：高场诱导的GIDL累积累积抑制累积模式P沟道TFT
- 作者：A.M. McCabe;R. O. Manley;J. G. Couillard;C.A. Kosik Williams;K.D. Hirschman
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
83.Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors

机译：多晶硅薄膜晶体管
- 作者：Toshiyuki Sameshima
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
84.Flow Rate's Influence on Low Temperature Silicon Oxide Deposited by Atmospheric Pressure Plasma Jet for Organic Thin Film Transistor Application

机译：用于有机薄膜晶体管应用的大气压等离子体射流沉积的低温氧化硅的流量影响
- 作者：K. M. Chang;S. S. Huang;C. H. Cheng
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
85.Poly-Si TFT based technologies and circuits for multipurpose sensors.

机译：基于多功能传感器的Poly-Si TFT技术和电路。
- 作者：Olivier Bonnaud;Tayeb Mohammed-Brahim
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
86.A New Insulator for Thin-Film Transistor Backplanes and for Flexible Passivation Layers

机译：用于薄膜晶体管背板的新绝缘体和灵活的钝化层
- 作者：Lin Han;Katherine Song;Sigurd Wagner;Prashant Mandlik
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
87.Schottky Diode Based on Microcrystalline Silicon Deposited at 165°C for RFID Application

机译：基于165℃的微晶硅的肖特基二极管用于RFID应用
- 作者：I. Souleiman;K. Kandoussi;K. Belarbi;C. Simon;N. Coulon;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
88.The Application of Organic Electrochemical Transistors in Biosensors

机译：有机电化学晶体管在生物传感器中的应用
- 作者：Feng Yan;Peng Lin;Helen;L. W. Chan
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
89.The 1/f Noise Performance for TFTs Fabricated in Three TFT Technologies:Monocrystalline Silicon on Glass, Low Temperature Polysilicon on Glass, and Silicon on Insulator

机译：三TFT技术制造的TFT的1 / f噪声性能：玻璃，低温多晶硅在玻璃上的单晶硅，和绝缘体上的硅
- 作者：S. A. Marshall;C. J. Nassar;J. W. Choi;J. Jang;C. A. Kosik Williams;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
90.The Electrical properties of Atomic Layer Deposition of ZnO:N Thin Film Transistors by Ultraviolet Exposure

机译：紫外线曝光ZnO：N薄膜晶体管原子层沉积的电性能
- 作者：Jae-Min Kim;S. J. Lim;Hyungjun Kim
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
91.A Charge Based Compact Modeling Technique for Monocrystalline TFTs on Glass

机译：玻璃上单晶TFT的电荷基层型号型技术
- 作者：C. J. Nassar;T. J. Tredwell;C. A. Kosik Williams;J. F. Revelli;R. J. Bowman
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
92.Reduction of Hot Carrier Effects in Corning?Silicon-on-Glass TFTs

机译：在康宁中减少热载体效应？硅 - 玻璃TFT
- 作者：M. Mativenga;M. H. Choi;W. Choi;J. W. Choi;J. Jang;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
93.Downscaling issues in polycrystalline silicon TFTs

机译：多晶硅TFT中的缩小问题
- 作者：G. Fortunato;M. Cuscuna;P. Gaucci;L. Maiolo;L. Mariucci;et al
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2010年
94.PREFACE

机译：前言
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2012年
95.Memory Thin Film Transistor with Monolayered Nanoparticles through Chemical and Biological Bindings

机译：通过化学和生物结合的具有单层纳米颗粒的记忆薄膜晶体管
- 作者：H.H. Lee;H. Jung;M. Kim;Y. Kim;S. Oh;T.-S. Yoon
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2012年
96.Characteristiscs of Nanocrystalline Silicon Films Deposited by Cat-CVD Below 100°C

机译：CAT-CVD低于100℃的纳米晶硅膜的特性
- 作者：Tae-Ho Song;Ki-Su Keum;Sin-Young Kang;Jung-Hoon Park;Jin-Hoon Kim;Wan-Shick Hong
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2012年
97.Fabricating Multiple Channeled Zinc Oxide Thin Film Transistor via Sol-el Method

机译：通过溶胶-EL法制造多通道氧化锌薄膜晶体管
- 作者：G. Y. Chiou;S. T. Liu;S. Z. Chen;Henry J. H. Chen
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2012年
98.All-Chemical Vapor Deposited Graphene/Silicon Nitride TFTs

机译：全化学气相沉积石墨烯/氮化硅TFT
- 作者：W. I. Milne;M. T. Cole;M. Drapeko;P. Kidambi;K. Ying;Sungsik Lee;Sieglinde M-L Pfaendler;K. B. K. Teo;S. Hofmann;A. Nathan
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2012年
99.Single-Grain Si TFTs Fabricated by Liquid-Si and Long-Pulse Excimer-Laser

机译：由液体Si和长脉冲准分子激光制造的单粒Si TFT
- 作者：Ryoichi Ishihara;Jin Zhang;Miki Trifunovic;Michiel van der Zwan;Hideyuki Takagishi;Ryo Kawajiri;Tatsuya Shimoda;C.I.M. Beenakker
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2012年
100.The Effect of Zn/Sn Ratio on the Electrical Performance of Amorphous ZrZnSnO (ZZTO) Thin Film Transistors by RF Sputtering

机译：Zn / Sn比对射频溅射的无定形Zrznsno（ZZTO）薄膜晶体管电性能的影响
- 作者：I-Chung Chiu;I-Chun Cheng;Jian-Zhang Chen
- 会议名称：《Symposium on thin film transistor technologies》 | 2012年