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将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法

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摘要

本发明提供一种将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法。目前在制作具有硅化钼类(MoSiOx)膜的嵌入式相移掩模(EPSM)时，容易出现图案伸出的缺陷，但是由于扫描电镜不能清晰定义缺陷区域在石英玻璃基材上的轮廓，而使缺陷不能用聚焦离子束有效去除。通过本发明提供的将背面曝光用于嵌入式相移掩模(EPSM)聚焦离子束蚀刻的方法，可以通过负光阻背面曝光的方式准确定义出缺陷区域的轮廓，完全避免上述问题。

著录项

  • 公开/公告号CN100498543C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;

    申请/专利号CN200610023618.5

  • 发明设计人 卢子轩;

    申请日2006-01-25

  • 分类号G03F7/20(20060101);H01L21/027(20060101);G03F7/42(20060101);G03F7/26(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人李勇

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F7/20 授权公告日:20090610 终止日期:20190125 申请日:20060125

    专利权的终止

  • 2012-01-04

    专利权的转移 IPC(主分类):G03F7/20 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-01-04

    专利权的转移 IPC(主分类):G03F 7/20 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-06-10

    授权

    授权

  • 2009-06-10

    授权

    授权

  • 2007-09-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-09-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-01

    公开

    公开

  • 2007-08-01

    公开

    公开

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