用于CF4反应性离子蚀刻Si的非晶氢化碳掩模的选择性沉积

机译：在双频电容耦合C_4F_8 / CH_2F_2 / O_2 / Ar等离子体中SiO_2对CVD非晶碳掩模的蚀刻选择性的改善

机译：镍和铜的蚀刻掩模选择性对碳化硅（SIC）深，各向异性等离子体蚀刻过程的蚀刻掩模选择性

机译：使用CF {sub} 4选择性淀积非晶氢化碳膜作为掩模，用于硅的反应离子刻蚀

机译：使用CF4蚀刻用碳硬掩模（CHM）作为掩模使用CF4蚀刻的23nm-径块共聚物自组装纳米块的图案转移

机译：在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响（使用三氟化甲基），并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。

机译：基于Au掩模和反应性离子刻蚀的晶圆级分层纳米柱阵列用于有效的3D SERS基板

机译：用于硅腐蚀的气体混合等离子体中化学过程的模拟。第1部分：CF4 / O2用于硅蚀刻的气态混合物等离子体中化学过程的模型。第1部分：CF4 / O2

机译：从Gaas-on-si晶片选择性等离子蚀刻si用于微波通孔形成

机译：通过在硅基板上蚀刻掩模定义的结构的各向异性蚀刻涉及通过等离子聚合与等离子蚀刻交替从氟化碳中定期沉积含氟聚合物

机译：通过离子注入非晶碳膜开发高蚀刻选择性硬掩模材料

机译：具有改善的临界尺寸和蚀刻选择性的原位非晶碳掩模的介电等离子体蚀刻工艺