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在连续在线阴影掩模沉积工序中利用选择性等离子蚀刻形成过孔的系统及方法

摘要

本发明公开一种阴影掩模气相沉积系统,在该系统中,在基板上气相沉积第一导体,在所述第一导体上气相沉积绝缘体。然后至少在所述绝缘体上气相沉积第二导体。在气相沉积所述第二导体之前或之后等离子蚀刻所述绝缘体,以便在其中限定过孔,所述第一导体的至少一部分透过所述过孔露出。经由所述过孔在所述第一导体和所述第二导体之间建立电连接。

著录项

  • 公开/公告号CN101091248A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-12-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阿德文泰克全球有限公司;

    申请/专利号CN200580045262.9

  • 申请日2005-12-20

  • 分类号H01L23/52(20060101);

  • 代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人顾红霞;张天舒

  • 地址 英属维尔京群岛托托拉岛

  • 入库时间 2023-12-17 19:32:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-09-30

    授权

    授权

  • 2008-02-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-12-19

    公开

    公开

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