在ECR等离子体的选择性SiO2／Si蚀刻中添加氢气的效应

机译：超高GaN：SiO2蚀刻选择性通过在CL2-AR等离子体中的SiO2原位改性

机译：Si和SiO2的等离子体蚀刻-CF4等离子体中添加氧气的影响

机译：等离子体蚀刻过程的动力学研究。 I.在CnFm / H2和CnFm / O2等离子体中蚀刻Si和SiO2的模型

机译：CF_4，CL_2和N_2和NO_2 ECR等离子体的添加对Ru_2膜的蚀刻速率，选择性和蚀刻轮廓的影响

机译：在电子回旋共振（ECR）等离子体反应器中对硅进行六氟化硫蚀刻时的表面反应特性。

机译：腔室壁对使用循环Ar / C4F8等离子体的氟碳辅助的SiO2原子层蚀刻的影响

机译：SF6 / H2 / AR / HE等离子体的选择性SIN / SIO2蚀刻

机译：ECR Cl（sub 2）/ CH（sub 4）/ H（sub 2）/ ar等离子体中GaN，alN和InN的高速干蚀刻

机译：在等离子体蚀刻中利用饱和和不饱和卤代烃气体来增加SiO2相对于Si的蚀刻

机译：通过用于3D NAND器件应用的非等离子体干燥处理来选择性蚀刻到SiO2

机译：通过高密度等离子刻蚀机对掺杂的SIO2进行蚀刻，对未掺杂的Sio2具有高选择性