公开/公告号CN108846171B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;
申请/专利号CN201810523411.7
申请日2018-05-28
分类号G06F30/3308(20200101);
代理机构11279 北京中誉威圣知识产权代理有限公司;
代理人席勇;周勇
地址 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
入库时间 2022-08-23 12:03:09
机译: 建立在不同温度下模拟MOSFET电特性的子电路模型的方法
机译: 氧化还原液流电池等效电路模型的建立方法,仿真方法及程序
机译: 高击穿电压MOSFET电路仿真模型的建立方法,装置和程序