仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法

摘要

本发明公开了一种仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，包括以下步骤：分别在常温、第一温度、第二温度下对MOSFET进行电学特性测试并记录实际的电学特性曲线，其中第一温度是‑40度以下，第二温度是125度以上；根据常温下的电学特性测试结果提取BSIM模型；在所述BSIM模型基础上定义等效温变电阻以及温度补偿因子得到一个初步的子电路模型；根据在常温、所述第一温度、所述第二温度下的电学特性测试结果，调整等效温变电阻以及温度补偿因子的值使得最终的子电路模型仿真的电学特性曲线能够精确地拟合所述实际的电学特性曲线。所述仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法可以实现在更宽的温度区间子电路模型仿真的电学特性曲线更加拟合实际情况。