公开/公告号CN107093631B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔德国有限责任公司;
申请/专利号CN201610918509.3
申请日2013-07-03
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人申屠伟进;姜甜
地址 德国诺伊比贝格
入库时间 2022-08-23 11:24:26
机译: 用于本体FinFET技术的漏极扩展MOS器件
机译: 散装FINFET技术的漏极扩展MOS器件
机译: FinFET和用于控制finFET中源极和漏极结轮廓的技术