University of North Texas.;
机译:利用铝注入和隔离技术的硅锗源极/漏极应变p-FinFET降低接触电阻技术
机译:ln_(0.7)Ga_(0.3)As N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极/漏极工程:带原位掺杂的高串联源极/漏极降低串联电阻
机译:降低Si / sub 1-x / Ge / sub x / source / drain的源/漏串联电阻及其对PMOS晶体管器件性能的影响
机译:先进的源/漏技术可降低寄生电阻
机译:用于纳米级CMOS的先进源/漏技术。
机译:先进的纳米生物技术改善了核酸疗法
机译:先进晶体管的源极和漏极外部电阻降低
机译:电流流入源/漏区接触电阻的三维建模