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SOURCE AND DRAIN EXTERNAL RESISTANCE REDUCTION FOR ADVANCED TRANSISTORS

机译：先进晶体管的源极和漏极外部电阻降低

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KOH SHAO MING;
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年度 2012
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机译：ln_（0.7）Ga_（0.3）As N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极/漏极工程：带原位掺杂的高串联源极/漏极降低串联电阻
2. Reduction of source/drain series resistance and its impact on device performance for PMOS transistors with raised Si/sub 1-x/Ge/sub x/ source/drain [J] . Hsiang-Jen Huang, Kun-Ming Chen IEEE Electron Device Letters . 2000,第9期

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