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2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts

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1.Advanced Boron-Based Ultra-Low Energy Doping Techniques on Ultra-Shallow Junction Fabrications

机译：先进的基于硼的超低能量掺杂技术，用于超浅结制造
- 作者：Shu Qin;Y. Jeff Hu;Allen McTeer
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
2.A Simulation Study of a Novel Dual-Channel Body-Tied MOSFET

机译：新型双通道体式MOSFET的仿真研究
- 作者：Yi-Hsuan Fan;Jyi-Tsong Lin;Yi Chuen Eng;Yu-Che Chang;Cheng-Hsin Chen;Kuan-Yu Lu;Chih-Hsuan Tai
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
3.Nickel Silicide Formation on Si(110) Substrate

机译：Si（110）衬底上硅化镍的形成
- 作者：Xiao Guo;Xiao-Rong Wang;Yu-Long Jiang;Guo-Ping Ru;Bing-Zong Li
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
4.Characterization of a Body-Tied Vertical MOSFET

机译：体式垂直MOSFET的特性
- 作者：Kuan-Yu Lu;Jyi-Tsong Lin;Yi-Chuen Eng;Chih-Hsuan Tai;Cheng-Hsin Chen;Yu-Che Chang;Yi-Hsuan Fan
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
5.Device performance and yield - A new focus for ion implantation

机译：器件性能和良率-离子注入的新焦点
- 作者：Anthony Renau
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
6.Technology Options for 22nm and Beyond

机译：22nm及以上的技术选项
- 作者：Kelin J. Kuhn;Mark Y. Liu;Harold Kennel
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
7.Sub-20 nm abrupt USJ formation with long ms-flash with sub-2 nm dopant motion control

机译：低于20 nm的USJ突然形成，具有长ms闪光，具有低于2 nm的掺杂剂运动控制
- 作者：K.L.Lee;J.Gelpey;Dae-gyu Park;I.Lauer;P.Ronsheim;D.Neumayer;S. McCoy;P. Kulkarni;J. Chan;S. Skordas;Y. Zhu
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
8.Dual Beam Laser Spike Annealing Technology

机译：双光束激光尖峰退火技术
- 作者：Yun Wang;Shaoyin Chen;Michael Shen;Xiaoru Wang;Senquan Zhou;Jeff Hebb;David Owen
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
9.Advanced Flash Lamp Annealing technology for 22nm and further device

机译：先进的22nm闪光灯退火技术及其他器件
- 作者：Hiroki Kiyama;Shinichi Kato;Takayuki Aoyama;Takashi Onizawa;Kazuto Ikeda;Hideki Kondo;Kazuyuki Hashimoto;Hiroshi Murakawa;Toru Kuroiw
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
10.Millisecond Annealing Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultra Shallow Junction Formation

机译：常压热等离子体射流辐照引起的毫秒退火及其在超浅结形成中的应用
- 作者：Seiichiro Higashi
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
11.Millisecond Anneal for Ultra-Shallow Junction Applications

机译：毫秒退火，用于超浅结应用
- 作者：Jiong-Ping Lu;Yonggen He;Yong Chen
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
12.A Defect Behavior in Boron Shallow Junction Formation of Si under Low-Temperature Pre-Anneal and Non-Melt-Laser Anneal

机译：低温预退火和非熔融激光退火条件下硅硼浅结形成过程中的缺陷行为
- 作者：Suhei Hara;Yusuke Shigenaga;Satoru Matsumoto;Genshu Fuse;Susumu Sakuragi
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
13.Flexibly-Shaped-Pulse Flash Lamp Annealing with Assisted Temperature Control (FSP-FLAplus) to Realize a Wide Range of Annealing Conditions

机译：具有辅助温度控制（FSP-FLAplus）的灵活形状的脉冲闪光灯退火，可实现广泛的退火条件
- 作者：Shinichi Kato;Takashi Onizawa;Takayuki Aoyama;Kazuto Ikeda;Yuzuru Ohji
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
14.Substrate doping induced hole barrier lowering in PtSi-Si Schottky diode and its implication to PtSi Source/Drain SBFETs

机译：PtSi / n-Si肖特基二极管中衬底掺杂引起的空穴势垒降低及其对PtSi源/漏SBFET的影响
- 作者：HongYu Yu
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
15.Advanced Source/Drain Technologies for Parasitic Resistance Reduction

机译：先进的源/漏技术可降低寄生电阻
- 作者：Yee-Chia Yeo
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
16.Formation and Characterization of Ultra-Thin Ni Silicides on Strained and Unstrained Silicon

机译：应变硅和非应变硅上超薄镍硅化物的形成与表征
- 作者：L. Knoll;Q.T. Zhao;S. Habicht;C. Urban;K. K. Bourdelle;S. Mantl
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
17.Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs

机译：肖特基MOSFET的Er插入式硅化镍金属源极/漏极
- 作者：Parhat Ahmet;Wataru Hosoda;Kohei Noguchi;Yoshihisa Ohishi;Kuniyuki Kakushima;Kazuo Tsutsui;Hiroshi Iwai
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
18.Metallic Source and Drain Module for FDSOI MOSFETs Applications

机译：FDSOI MOSFET应用的金属源极和漏极模块
- 作者：V. Carron;F. Nemouchi;Y. Morand;T. Poiroux;L. Hutin;M. Vinet;T. Billon;O. Faynot
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
19.Effective Approaches to Prevent Ambient Contaminations Impact on the Cobalt Salicide Process

机译：防止环境污染对钴硅化物工艺产生影响的有效方法
- 作者：Kun-Gui;Paul-Chang Lin;Dong Ouyang;Ji-Wei Zhang;Cheng Xing
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
20.Epitaxial NiSi2 Source and Drain Technology for Atomic-Scale Junction Control in Silicon Nanowire MOSFETs

机译：外延NiSi2源漏技术用于硅纳米线MOSFET的原子级结控制
- 作者：Shinji Migita;Yukinori Morita;Wataru Mizubayashi;Hiroyuki Ota
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
21.Proposal of a New Electronic Structure Model of Ohmic Contacts for the Future Metallic Source and Drain

机译：关于未来金属源极和漏极的欧姆接触的新电子结构模型的建议
- 作者：Yukihiro Takada;Masakazu Muraguchi;Tetsuo Endoh;Shintaro Nomura;Kenji Shiraishi
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
22.Study on Palladium Germanide on Ge-on-Si substrate for Nanoscale Ge Channel Schottky Barrier MOSFETs

机译：纳米Ge沟道肖特基势垒MOSFET的Ge-on-Si衬底上的锗化钯研究
- 作者：Se-Kyung Oh;Jin-Suk Wang;Hi-Deok Lee;Ying-Ying Zhang;Hong-Sik Shin;In-Shik Han;Hyuk-Min Kwon;Byoung-Soek Park;Sang-Uk Park;Jung-Deuk Bok;Ga-Won Lee
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
23.Improvement of Productivity by Cluster Ion Implanter: CLARIS

机译：簇离子注入机提高生产率：CLARIS
- 作者：Masayasu Tanjyo;Masahiro Hashimoto;Tsutomu Nagayama;Hiroshi Onoda;Nobuo Nagai;Tom N. Horsky;Sami K. Hahto;Dale C. Jacobson;Nariaki Hamamoto;Sei Umisedo;Yuji Koga;Hideyasu Une;Noriaki Maehara;Yasunori Kawamura;Yoshikazu Hashino;Yoshiki Nakashima
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
24.MD simulation of small boron cluster implantation

机译：小硼团簇注入的MD模拟
- 作者：Takaaki Aoki;Toshio Seki;Jiro Matsuo
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
25.Sidewall resistance reduction for FinFETs by B2H6/Helium Self-Regulatory Plasma Doping Process

机译：通过B2H6 /氦气自调节等离子体掺杂工艺降低FinFET的侧壁电阻
- 作者：Yuichiro Sasaki
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
26.Deep p+ junctions formed by drive-in from pure boron depositions

机译：由纯硼沉积驱入形成的深p +结
- 作者：P. Maleki;T.L.M. Scholtes;M. Popadic;F. Sarubbi;G. Lorito;S. Milosavljevic;W.B. de Boer;L.K. Nanver
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
27.Advanced Junction Formation for Sub-32nm Logic Devices

机译：低于32nm逻辑器件的高级结形成
- 作者：Sadanand V. Deshpande;Ahmet Ozcan;Donald Wall;Eunha Kim;Oleg Gluschenkov
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
28.Carbon Nanotube Thin Film Transistor Devices

机译：碳纳米管薄膜晶体管器件
- 作者：J. Wei;C. W. Lee;L. J. Li
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
29.Advanced Techniques for Achieving Ultra-Shallow Junctions in Future CMOS Devices

机译：在未来的CMOS器件中实现超浅结的先进技术
- 作者：Joel Barnett;Richard Hill;Wei-Yip Loh;Chris Hobbs;Prashant Majhi;Raj Jammy
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
30.Aggressive Design of Ultra-Shallow Junction for Near-Scaling-Limit Bulk Planar CMOS by using Raised Source/Drain Extension Structure and Carbon Co-Implantion Technology

机译：利用凸起的源/漏扩展结构和碳共注入技术，超大规模结近尺度有限体积平面CMOS超结设计
- 作者：K. Uejima;K. Yako;T. Yamamoto;N. Ikarashi;S. Shishiguchi;T. Hase;M. Hane
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
31.Performance Estimations of Gate-All-Around Silicon Nanowire FETs with Asymmetric Barrier Heights at Source/Drain

机译：源极/漏极处具有非对称势垒高度的全栅硅纳米线FET的性能估计
- 作者：Jing Pu;Lei Sun;Ru-Qi Han
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
32.Causes of Asymmetry in Graphene Transfer Characteristics

机译：石墨烯转移特性不对称的原因
- 作者：Shouheng Xu;Qing Zhang
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
33.Improved Radiation Response of PDSOI LBBC BUSFET

机译：改善了PDSOI LBBC BUSFET的辐射响应
- 作者：Jin-Shun Bi;Chao-He Hai;Zheng-Sheng Han
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
34.Vacancy-Type Defects in Ultra-Shallow Junctions Fabricated Using Plasma Doping Studied by Positron Annihilation

机译：正电子ni没研究等离子体掺杂制备的超浅结中的空位缺陷
- 作者：Akira Uedono;Hiroshi Iwai;Kazuo Tsutsui;Shoji Ishibashi;Hiromichi Watanabe;Shoji Kubota;Kazuki Tenjinbayashi;Yasumasa Nakagawa;Bunji Mizuno;Takeo Hattori
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
35.High-resolution and Site-specific SSRM on S/D Engineering

机译：S / D工程上的高分辨率和特定于现场的SSRM
- 作者：L. Zhang;M. Saitoh;M. Koike;S. Takeno;H. Tanimoto;K. Adachi;N.Yasutake;N. Kusunoki
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
36.Two-Dimensional Cross-Sectional Doping Profiling of Boron-Based Low Energy High Dose Ion Implantations Using Electron Holography Technique

机译：电子全息技术对硼基低能高剂量离子注入的二维截面掺杂分析
- 作者：Shu Qin;Zhouguang Wang;Du Li;Y. Jeff Hu;Allen McTeer;Rob Burke;Jaydip Guha
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
37.Laser Spike Anneal Macro Micro Non-uniformity Investigation Using Modulated Optical Reflectance and Four-Point-Probe

机译：使用调制光反射率和四点探针的激光尖峰退火宏观和微观非均匀性研究
- 作者：Yonggen He;Yong Chen;Guobin Yu;Albert Hong;Jiong-Ping Lu;Xianghua Liu;Lu Yu;Yue Chen
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
38.Carrier Activation in Cluster Boron implanted Si

机译：团簇硼注入硅中的载流子活化
- 作者：H. Onoda;H. Yoshimi;S. Sezaki;K. Kawakami;J. Reyes;and S. Prussin;N. Hamamoto;T. Nagayama;M. Tanjyo;S. Umisedo;N. Maehara;Y. Kawamura;Y. Nakashima;M. Hashimoto
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
39.Depth Profiling of Chemical Bonding States of Impurity Atoms and Their Correlation with Electrical Activity in Si Shallow Junctions

机译：硅浅结中杂质原子化学键合态的深度分布及其与电活动的关系
- 作者：Kazuo Tsutsui;Takeo Hattori;Hiroshi Iwai;Norifumi Hoshino;Yasumasa Nakagawa;Masaoki Tanaka;Hiroshi Nohira;Kuniyuki Kakushima;Parhat Ahemt;Yuichiro Sasaki;Bunji Mizuno
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
40.A Simulation Study of SOI RESURF Junctions for HV LDMOS (>600V)

机译：HV LDMOS（> 600V）的SOI RESURF结的仿真研究
- 作者：Yanying Wang;Dong Zhang;Yuqiang Lv;Dawei Gong;Kai Shao;Zhongjian Wang;Dawei He;Xinhong Cheng
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
41.Improved electrochemical etching for the formation of 3D p-n junction

机译：改进的电化学蚀刻，用于形成3D p-n结
- 作者：Jing Shi;Pengliang Ci;Fei Wang;Huayan Zhang;Lianwei Wang
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
42.Application of Coherent Resonant Tunnelling Theory in GaAs RTD Fabrication

机译：相干共振隧穿理论在GaAs RTD制造中的应用
- 作者：Yibin Wu;Ruixia Yang;Kewu Yang;Yaohui Shang;Xiazheng Bu;Chenliang Niu;Hui Zhao;Jianfeng Wang
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
43.Design and Application of the High-Voltage Ultra-Shallow Junction PJFET

机译：高压超浅结PJFET的设计与应用
- 作者：Zhikuan Wang;Zhaohuan Tang;Yong Liu;Guohua Shui;Hongqi Ou;Yonghui Yang
- 会议名称：《》 | 2010年
44.Preliminary Research of Standard for Electrostatic Discharge Test Method for LED Chips

机译：LED芯片静电放电测试方法标准的初步研究
- 作者：Yanwei;Yuanchen;Wangchang;zhoujin
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
45.Enhanced Thermal Measurements of High Power LEDs by Junction Characteristic

机译：结特性增强了大功率LED的热测量
- 作者：Chenning Ge;Shiwei Feng;Guangchen Zhang;Kaikai Ding;Peifeng Hu;Haitao Deng
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
46.Optimum Design Methodology for Thermally Stable Multi-finger Power SiGe HBTs

机译：热稳定多指电源SiGe HBT的最佳设计方法
- 作者：D. Y. Jin;W. R. Zhang;B. L. Guan;L. Chen;N. Hu;Y. Xiao;R. Q. Wang
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
47.Grain Boundary Barrier Height and Threshold Voltage Model of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors

机译：多晶硅薄膜晶体管的晶界势垒高度和阈值电压模型
- 作者：Hongyu He;Xueren Zheng
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
48.The Effects of a Deep N-well Junction on RF Circuit Performance

机译：N阱深结对射频电路性能的影响
- 作者：Song Ye;Jun Li
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
49.Heterojunction Fabricated by Deposition of ZnO Films on Boron-doped Nanocrystalline Diamond Film

机译：掺硼纳米晶金刚石膜上ZnO膜沉积制备的异质结
- 作者：Jian Huang;Linjun Wang;Ke Tang;Run Xu;Jijun Zhang;Yiben Xia;Xionggang Lu
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
50.Electrical and structural properties of Al-doped ZnO films

机译：铝掺杂ZnO薄膜的电学和结构性能
- 作者：Ke Tang;Linjun Wang;Jian Huang;Jijun Zhang;Weimin Shi;Yiben Xia
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
51.Carbon Incorporation into Substitutional Silicon Site by Carbon Cryo Ion Implantation and Metastable Recrystallization Annealing as Stress Technique in n-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

机译：碳低温离子注入和亚稳态重结晶退火作为应力技术在n金属氧化物半导体场效应晶体管中将碳掺入替代硅位点中
- 作者：Hiroshi Itokawa;Kiyotaka Miyano;Yusuke Oshiki;Hiroyuki Onoda;Masahito Nishigoori;Ichiro Mizushima;Kyoichi Suguro
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
52.An Analytical Model for the Subthreshold Swing of Double-Gate MOSFETs

机译：双栅MOSFET亚阈值摆幅的解析模型
- 作者：Zhihao Ding;Guangxi Hu;Jinglun Gu;Ran Liu;Lingli Wang;Tingao Tang
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
53.Multi-Reversed-Junction LDMOST with Very High Breakdown Voltage per Unit Length

机译：每单位长度的击穿电压很高的多反向结LDMOST
- 作者：Jianbing Cheng;Bo Zhang;Zhaoji Li;Yufeng Guo;Shujuan Yu
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
54.Physical and Electrical Characterization of Junction between Single-Layer Graphene (SLG) and Ti Prepared by Various Processes

机译：各种工艺制备的单层石墨烯（SLG）与Ti结的物理和电学特性
- 作者：W. J. Liu;H.Y. Yu;B. K. Tay;S. H. Xu;Y. Y. Wang;H. L. Hu;Z. X. Shen;J. Wei;M. F. Li
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
55.A Highly Scalable Π-Shaped Source/Drain Quasi-SOI MOS Transistor

机译：高度可扩展的-型源极/漏极准SOI MOS晶体管
- 作者：Yi-Chuen Eng;Jyi-Tsong Lin;Yi-Hsuan Fan;Yu-Che Chang;Kuan-Yu Lu;Cheng-Hsien Chen;Chih-Hsuan Tai
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
56.Schottky Barrier Height Modulation with Aluminum Segregation and Pulsed Laser Anneal: A Route for Contact Resistance Reduction

机译：铝隔离和脉冲激光退火的肖特基势垒高度调制：降低接触电阻的途径
- 作者：Shao-Ming Koh;Yuri Erokhin;Ganesh S. Samudra;Yee-Chia Yeo;Chee-Mang Ng;Pan Liu;Zhi-Qiang Mo;Xincai Wang;Hongyu Zheng;Zhi-Yong Zhao;Naushad Variam;Todd Henry
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
57.Evaluation by Spectroscopic Ellipsometryof Si amorphized layer thickness after implantation and solid phase re-growth at low annealing temperatures

机译：在较低的退火温度下通过光谱椭偏仪评估注入后的Si非晶层厚度和固相再生长
- 作者：S. Shibata;T. Morita;F. Kawase;A. Kitada;T. Kouzaki;A. Kitamura;K. Yamazawa;M. Arai;Y.Nambu;H. Izutani
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
58.Contribution of Carbon to Growth of Strained Silicon, Dopant Activation and Diffusion in Silicon

机译：碳对应变硅生长，硅中掺杂剂活化和扩散的贡献
- 作者：Hiroshi Itokawa
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
59.Advances in Molecular Implant Technology

机译：分子植入技术的进展
- 作者：Wade Krull
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年
60.Suppression of Phosphorus diffusion using cluster Carbon co-implantation

机译：团簇碳共注入抑制磷的扩散
- 作者：Tsutomu Nagayama;Yoshikazu Hashino;Masahiro Hashimoto;Hideki Yoshimi;Shinichi Sezaki;Nobuo Nagai;Hiroshi Onoda;Masayasu Tanjyo;Nariaki Hamamoto;Sei Umisedo;Yuji Koga;Noriaki Maehara;Yasunori Kawamura;Yoshiki Nakashima
- 会议名称：《2010 International workshop on junction technology : Extended abstracts》 | 2010年