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【2h】

Performance characteristics of p-channel FinFETs with varied Si-fin extension lengths for source and drain contacts

机译：具有各种Si翅片延伸长度的P沟道FinFET的性能特征，用于源极和漏极螺栓

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Yue-Gie Liaw; Wen-Shiang Liao; Mu-Chun Wang; Chii-Wen Chen; Deshi Li; Haoshuang Gu; Xuecheng Zou;
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年度 2017
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1. Performance characteristics of p-channel FinFETs with varied Si-fin extension lengths for source and drain contacts [J] . Liaw Yue-Gie, Liao Wen-Shiang, Wang Mu-Chun, Semiconductors . 2017,第12期

机译：具有各种Si翅片延伸长度的P沟道FinFET的性能特征，用于源极和漏极触点
2. Performance characteristics of p-channel FinFETs with varied Si-fin extension lengths for source and drain contacts [J] . Yue-Gie Liaw, Wen-Shiang Liao, Mu-Chun Wang, Физика и техника полупроводников . 2017,第12期

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3. P-Channel Tri-Gate FinFETs Featuring Ni1 − yPty SiGe Source/Drain Contacts for Enhanced Drive Current Performance [J] . Lee R. T.-P., Tan K.-M., Lim A. E.-J., IEEE Electron Device Letters . 2008,第5期

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