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SiC基板的评价方法和SiC外延晶片的制造方法

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摘要

本发明的SiC基板的评价方法中，对层叠外延层之前的SiC基板的第1面照射激励光，提取从所述第1面发出的光致发光的光之中波段为405nm以上且445nm以下的光，观察带状堆垛层错。

著录项

  • 公开/公告号CN111048431B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昭和电工株式会社;

    申请/专利号CN201910962531.1

  • 发明设计人 西原祯孝;龟井宏二;

    申请日2019-10-11

  • 分类号H01L21/66(20060101);H01L21/02(20060101);H01L29/16(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人王潇悦;段承恩

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 11:15:32

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