用于0.18微米接触孔的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种用于0.18微米接触孔的刻蚀方法，旨在提供一种刻蚀效果好，能防止欠刻蚀和过刻蚀的刻蚀方法。其技术方案的要点是：第一步，对顶部氮氧化硅进行刻蚀；第二步，对上层氧化膜进行主刻蚀，保证孔停在氮氧化硅上；第三步，使用氮气和氧气混合气体来去除孔底反应生成物；第四步，对下层氮氧化硅进行主刻蚀，使孔停在底层金属硅化物上。由于采用高刻蚀速率选择比(氮氧化硅/氧化膜)，对于因光刻工艺对准偏差而偏移到STI上的部分能停在氧化膜上，不损伤有源区侧壁。