机译:采用0.18μm绝缘体上硅(SOI)技术实现的300V级功率n沟道LDMOS晶体管
机译:基于0.18 lim SOI CMOS技术的高压LDMOS晶体管的设计和优化
机译:基于0.18μmSOI CMOS技术的LUDMOS晶体管安全工作区的分析和优化
机译:0.18μmSOICMOS技术对Ludmos晶体管的分析与优化
机译:采用0.18微米CMOS技术的激光驱动器设计。
机译:贝宁土壤肥力管理技术建模小农农民偏好:一种偏好的偏好方法
机译:使用TCAD仪器工艺建模系统开发和研究0.35微米SOI MOS晶体管的SOI MOS晶体管模型