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可重复使用的晶圆控片及其形成方法

摘要

本发明揭示了一种半导体制程的晶圆控片的形成方法。在本发明的一实施例中,首先提供一晶圆底材。然后,形成一氧化层于晶圆底材上。接着,形成一非晶硅层于氧化层上。之后,进行一离子植入制程以掺杂非晶硅层与氧化层。其次,进行一回火制程以形成一晶圆控片。在回火制程后,可进行一量测程序以测定方块电阻值(Rs),并进行日程监控。另一方面,当日程监控完成后,湿法控片晶圆底材上的非晶硅层与氧化层,晶圆控片可以重复使用,降低日程监控成本。

著录项

  • 公开/公告号CN1270366C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN02122807.8

  • 发明设计人 吴金刚;黄晋德;刘靓一;李修远;

    申请日2002-06-04

  • 分类号H01L21/66(20060101);H01L21/00(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈亮

  • 地址 201203 上海市张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2006-08-16

    授权

    授权

  • 2004-03-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-01-07

    公开

    公开

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