针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法

摘要

本发明涉及一种针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特点是采用Au、In等温凝固低温键合与有机材料键合相结合的工艺进行射频器件的低温封装工艺，解决了引线横向互连的问题，同时封装还具有良好的机械强度与气密性。同时，Au、In等温凝固键合的金属沉积方式，包括采用Cu作为Au、In等温凝固反应的阻挡层材料，及在In层的表层沉积一层薄的Au用作防止In表层被氧化的保护层材料。将密封环的制作主要集中在封装盖板上，大大减小了封装对衬底芯片的性能影响。同时密封环的制作与封装腔体的制作实现了工艺集成。