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生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底

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摘要

在初始衬底上沉积金属膜，初始衬底可以是单晶蓝宝石衬底、带有生长在蓝宝石衬底上的单晶GaN膜的衬底或单晶半导体衬底中的任何一种。然后在金属膜上沉积GaN膜以形成层状衬底。由于采用了以上这种结构，在生长了GaN膜之后，GaN膜可以很容易地和初始衬底分开，并且，能够用简单的方式生产出来低缺陷浓度和没有被杂质严重污染的GaN晶体衬底。

著录项

公开/公告号CN1249780C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-04-05

原文格式PDF
申请/专利权人日立电线株式会社;日本电气株式会社;
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申请/专利号CN02107886.6
发明设计人柴田真佐知;黑田尚孝;
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申请日2002-03-26
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/20(20060101);H01L33/00(20060101);H01S5/00(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人刘晓峰
地址日本国东京都
入库时间 2022-08-23 08:58:12

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-04-06

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20160317 变更前: 变更后: 申请日:20020326

专利申请权、专利权的转移
2016-04-06

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20160317 变更前: 变更后: 申请日:20020326

专利申请权、专利权的转移
2015-09-23

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20150907 申请日:20020326

专利申请权、专利权的转移
2015-02-11

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20150121 申请日:20020326

专利申请权、专利权的转移
2006-04-05

授权

授权
2004-05-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2002-11-06

公开

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