Si衬底AlGaN/GaN功率开关场效应晶体管研制

姚尧; 贺致远; 李佳林; 刘扬

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研究了Si衬底A1GaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响.基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为0.4 Ω(比导通电阻8.29 mΩ·cm2).

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来源
《电力电子技术》 |2012年第12期|87-89|共3页
作者
姚尧; 贺致远; 李佳林; 刘扬;
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作者单位

中山大学,物理科学与工程技术学院,广东广州510275;

中山大学,物理科学与工程技术学院,广东广州510275;

中山大学,物理科学与工程技术学院,广东广州510275;

中山大学,物理科学与工程技术学院,广东广州510275;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
场效应晶体管; 功率开关; 栅宽; 欧姆接触电极厚度;

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