Yokohama RD laboratories, FURUKAWA ELECTRIC 2-4-3, Okano, Nishi-ku, Yokohama, JAPAN, 220-0073;
Yokohama RD laboratories, FURUKAWA ELECTRIC 2-4-3, Okano, Nishi-ku, Yokohama, JAPAN, 220-0073;
Yokohama RD laboratories, FURUKAWA ELECTRIC 2-4-3, Okano, Nishi;
GaN HFETs; Si substrate; current collapse;
机译:具有高击穿电压的C掺杂GaN缓冲层,用于通过MOVPE在4英寸Si衬底上进行大功率操作的AlGaN / GaN HFET
机译:然后讨论AlGaN / GaN HFET中的低频磁滞和电流色散的原因AlGaN / GaN HFET中的低频磁滞和电流色散的原因
机译:AlGaN / GaN HFET的小信号等效电路建模:确定AlGaN / GaN HFET电路元件的混合提取方法
机译:SI基板上的高功率AIGAN / GAN HFETs用于电源切换应用
机译:基于物理的AlGaN / GaN HFET紧凑模型,可在电路模拟器中实现。
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:用于无线基站的100mm硅衬底上制备的alGaN / GaN HFET的性能
机译:用于微波功率应用的宽带转移衬底alGaN-GaN异质结双极晶体管