一种在Si衬底上制备高迁移率AlGaN/GaN电子功率器件的方法

摘要

本发明提供一种在Si衬底上制备高迁移率AlGaN/GaN电子功率器件的方法。先在Si衬底上采用金属有机化学气相外延技术生长20nm‑30nm低温AlN成核层；然后生长高温200nm‑300nm AlN缓冲层，在此基础上变温生长300nm Al_0.2Ga_0.8N应力调控层：生长800nm‑1000nm高阻GaN外延层；生长10‑20个周期Al_0.2Ga_0.8N/GaN应力调控层；生长800nm‑1000nm高阻GaN外延层；然后生长15nmAlGaN/1nmGaN。本发明，有效地解决至今异质外延技术尚且存在的应力、翘曲及缺陷，获得无裂纹、高迁移率AlGaN/GaN电子功率器件。