法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-24
授权
授权
2016-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20141113
实质审查的生效
2016-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20141113
实质审查的生效
2016-07-13
公开
公开
2016-07-13
公开
公开
机译: 使用InAlN和AlGaN双层封盖堆叠的Si衬底上的低薄层电阻GaN沟道
机译: 使用InAlN和AlGaN双层封盖堆叠的Si衬底上的低薄层电阻GaN沟道
机译: Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠