机译:通过在AlGaN / GaN HEMT异质结构中的欧姆区进行表面等离子体处理,降低了接触电阻并提高了晶体管的性能
机译:通过表面等离子体处理降低接触电阻和改进的晶体管性能在AlGaN / GaN Hemt异质结构上的欧姆地区
机译:氧等离子体处理对GaN和AlGaN欧姆接触形成的影响
机译:三种(111),蓝宝石,4H-SIC基板上的Algan / GaN Hemts中Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电性能和表面形态的比较优化
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:用于AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌