法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-05-16
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/38 公开日:20081210 申请日:20080602
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-10-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-12-10
公开
公开
机译: GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译: GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译: GaN晶体和GaN晶体衬底的制造方法,通过该方法获得的GaN晶体和GaN晶体衬底以及包括该方法的半导体器件