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陶德节; 闫如顺; 刘福云; 郭行安; 徐小冬; 江小平; 胡欢陵;
中国科学院安徽光学精密机械研究所;
合肥科晶材料技术有限公司;
高温超导; GaN衬底材料; LSAT晶体; 晶体生长;
机译:新的氧化物晶体(La,Sr)(Al,Ta)O_3作为GaN外延衬底
机译:NdGaO_3和Sr_(0.7)La_(0.3)Al_(0.65)Ta_(0.35)O_3衬底上异质外延YBa_2Cu_3O_7 / La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3超晶格的脉冲激光沉积生长
机译:(La,Sr)(Al,Ta)O-3单晶的生长和表征:GaN外延生长的有前途的衬底
机译:增长机制和铁电域结构研究在外延BIFEO_3薄膜上生长(LA_(0.3)SR_(0.7))(AL_(0.65)TA_(0.35))O_3
机译:(111)定向上的运输测量(LA0:3SR 0:7)(AL0:65TA0:35)O3 / SRTIO3异质结构
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译:线状柔性高温超导体,基于(La,Ba,Sr)2CuO4类或(Y,RE)Ba2Cu3O6.5 + y类的超导陶瓷材料,RE =稀土且0
机译:Al x Sub> In y Sub> Ga 1-xy Sub> N混合晶体衬底,Al x Sub> In 的生长方法y Sub> Ga 1-xy Sub> N混合晶体衬底及制备Al x Sub> In y Sub> Ga 1-xy <的方法/ Sub> N混合晶体基板
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