机译:新的氧化物晶体(La,Sr)(Al,Ta)O_3作为GaN外延衬底
A1.Substrates; A2.Czochralski method; B1.Oxides; B1.Perovskites;
机译:钙钛矿型氧化物(NdSr)(AlNb)O_3和(LaSr)(GaNb)O_3作为GaN外延生长衬底的生长和表征
机译:用于高质量2-6的宏观切断,大型和厚的GaN散装晶体。GaN基材由氢化物气相外延与硬度控制
机译:在氨热GaN种子上由氢化物气相外延结晶的GaN层制备自支撑GaN衬底
机译:通过分子束外延在GaN单晶衬底上生长同质外延GaN层和GaN / AlGaN多量子阱
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:通过氢化物气相外延从硅衬底提取的独立式GaN晶体中电子陷阱能级的初步观察
机译:GaN-On-Si(100):CMOS兼容Si(100)基板上的单晶GaN膜的外延(ADV。Funct。Matter。42/2019)