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徐科; 田玉莲; 等;
中国科学院上海光学机密机械研究所;
中国科学院北京高能物理研究所;
GaN; 外延衬底材料; LiGaO2晶体; X射线貌相术; 氮化镓; TEM; 外延生长;
机译:等离子体辅助分子束外延在β-LiGaO2(100)上生长的M面GaN外延层的应变
机译:LigaO2(001)基材上生长的GaN外延膜的极性控制及其机制
机译:外延生长的GaN薄膜残余应力与晶体缺陷的关系
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:等离子体辅助MBE在LiGaO2上生长非极性GaN的微观结构
机译:生长温度对等离子体辅助分子束外延生长的外延GaN薄膜缺陷的影响
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:使用相同的GaN基半导体晶体生长多晶氮化铝衬底材料制造GaN基半导体的方法和
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:利用横向外延生长来生长GaN晶体的方法
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