适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法

摘要

一种适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgO单晶上设有一层MgIn2O4构成。该复合衬底材料的制备方法是：在铂金坩埚内，放置有带气孔的MgIn2O4和In2O3混合料块；将双面抛光或单面抛光的MgO晶片置放或悬挂于铂金丝上，加上覆盖有MgIn2O4和In2O3混合粉料和热电偶的铂金片，坩埚顶部加铂金盖密闭后置于电阻炉中；电阻炉加热升温至800～1400℃，恒温20～100小时，通过In3+离子的扩散，使In2O3和MgO固相反应，可获得适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料。本发明的复合衬底材料MgIn2O4/MgO的制备工艺简单、易操作，适合于高质量GaN的外延生长。