(Mg,Cd)In₂O₄/MgAl₂O₄复合衬底材料及其制备方法

摘要

一种(Mg，Cd)In₂O₄/MgAl₂O₄复合衬底的材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgAl₂O₄单晶上设有一层(Mg，Cd)In₂O₄覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：用脉冲激光淀积方法在MgAl₂O₄(111)单晶衬底上形成(Mg，Cd)In₂O₄覆盖层，通过退火工艺处理，在MgAl₂O₄(111)单晶衬底得到晶化的(Mg，Cd)In₂O₄(111)薄膜。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单，易操作，此种结构的复合衬底[(Mg，Cd)In₂O4/MgAl₂O₄]适合于高质量GaN的外延生长。