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叶志镇; 张昊翔; 赵炳辉; 王宇;
中国电子学会;
氮化镓; 硅基; 外延; 位相关系; 生长机理;
机译:氢化物气相外延(sag-hvpe)选择性区域生长中Gan外延形貌的完整晶体学研究
机译:用选择性刻蚀研究横向外延生长的GaN中晶体学倾斜的起源
机译:通过X射线微衍射从无掩模的外延外延生长的GaN(0001)层中的局部应变,缺陷和晶体学倾斜
机译:通过无掩膜外延外延生长的GaN(0001)层中X射线微衍射表征应力松弛,位错和晶体学倾斜
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:预处理硅基板对氢化物氢化物气相外延法生长的GaN膜性能的影响
机译:分子束外延生长mg掺杂GaN同质外延层的光学和磁共振研究。
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:外延生长用基板,GaN半导体膜的制造方法,GaN半导体膜,GaN半导体发光元件的制造方法以及GaN半导体发光元件
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