横向过生长(LEO)外延GaN材料及其生长机理

摘要

由于没有合适的衬底材料与之匹配，使外延生长的 GaN材料缺陷密度很大，从而限制了它的应用。采用 LEO(横向过生长外延 )技术能使缺陷密度降低 3～ 4个数量级，可生长出高质量的 GaN材料。本文简要介绍了应用 LEO技术生长 GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。