MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜

彭冬生; 冯玉春; 牛憨笨

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MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜

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介绍了金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)法横向外延过生长GaN薄膜的原理,阐述了该技术形成选择生长和减少GaN薄膜缺陷密度的机理.综述了该技术的发展历程以及最新进展.新型的横向外延过生长技术大大简化了生长工艺以及降低了晶向倾斜.

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来源
《电子元件与材料》 |2009年第2期|66-69|共4页
作者
彭冬生; 冯玉春; 牛憨笨;
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作者单位

深圳大学,光电工程学院,广东,深圳,518060;

深圳大学,光电工程学院,广东,深圳,518060;

深圳大学,光电工程学院,广东,深圳,518060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
无机非金属材料; MOCVD; 综述; 横向外延过生长; GaN; 薄膜;

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