N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长

李亮; 罗伟科; 李忠辉; 董逊; 彭大青; 张东国

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N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长

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采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜.通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性.通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响.研究结果表明,成核层生长时间为300 s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好.采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析.

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来源
《发光学报》|2013年第11期|1500-1504|共5页
作者
李亮; 罗伟科; 李忠辉; 董逊; 彭大青; 张东国;
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作者单位

南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;

南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;

南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;

南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;

南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;

南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
氮化镓; 氮极性; 成核层; 金属有机物化学气相沉积;

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