声明
第一章 绪论
1.1 研究背景
1.2 GaN材料简介
1.3 BGaN材料的研究介绍
1.4 本文主要研究内容
第二章 材料生长设备与表征方法
2.1 III族氮化物材料的生长方法
2.2 材料的表征方法
2.3本章小结
第三章 BGaN薄膜表面形貌的优化研究
3.1 引言
3.2 生长厚度对BGaN薄膜表面形貌的影响
3.3 生长温度对BGaN薄膜表面形貌的影响
3.4 生长压力对BGaN薄膜表面形貌的影响
3.5 B/III比对BGaN薄膜表面形貌的影响
3.6 本章小结
第四章 BGaN薄膜中B的并入效率研究
4.1 引言
4.2 生长厚度对BGaN中B的并入效率的影响。
4.3 生长温度对BGaN中B的并入效率的影响
4.4 生长压力对BGaN中B的并入效率的影响
4.5 B/III比对BGaN中B的并入效率的影响
4.6 本章小结
结论
参考文献
作者简介及科研成果
致谢
吉林大学;
