TEM

摘要： 针对时间域航空电磁领域二次场晚期信号呈e指数衰减的特性,结合收录系统对航空电磁信息和GPS串行信息的同步需求,并考虑到高可靠性和宽温的应用环境,采用多线程、边沿检测、异步FIFO等技术,设计了基于PC104架构的多信息流数据同步的时间域航空电磁收录系统。实验证明,该系统实现了192 kSa/s采样率下二次场电压信息、发射电流信息与1 Hz GPS串行流信息的收录,同步精度达到了5.2μs。

摘要： 目的评估选择性痔上黏膜切除术(tissue selecting therapy,TST)治疗高龄pT1低位直肠癌的临床疗效。方法选择大连市友谊医院普通外科自2011年1月至2015年12月收治的高龄早期低位直肠癌(cT1N0M0)患者60例,按入院顺序奇偶法随机分成研究组和对照组,每组各30例,研究组选用TST局部切除病灶,对照组选用经肛门内镜显微手术(transanal endoscopic microsurgery,TEM)局部切除病灶,两组均遵循早期肿瘤学手术原则,比较两组患者的术中情况和术后情况。结果两组均成功完成手术。研究组手术平均时间明显低于对照组(P0.05)。1例对照组患者术后病理为pT2并手术切缘阳性而行补救手术;研究组术后早期疼痛评分明显低于对照组(P0.05);研究组和对照组随访期间无一例出现复发或远处转移,且两组随访的生存曲线无明显变化(P>0.05)。结论在高龄的pT1低位直肠癌治疗中,TST术式疗效与TEM术式相当;TST术式操作方法简便,肿瘤学行为安全、可行,临床疗效显著,值得临床推广应用。

摘要： 时效前形变的引入,可以改变析出强化型Al-Cu-Mg(-Si)合金的时效析出过程,并且这种变化与形变量直接相关.为研究多元合金的形变强化机制,有必要利用电子背散射衍射(EBSD)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等多种表征手段,对不同形变时效态Al-3.0Cu-1.8Mg-0.5Si(wt.%)合金的强化方式进行定量或半定量计算,阐述不同强化方式对强度的贡献,为铝合金中形变时效工艺的应用提供理论支撑.研究发现,形变量的提高可以提高合金峰值硬度和强度,原因在于三个方面,一是晶界面积的增加,二是位错密度的增大,三是析出相尺寸更细小、分布更均匀.并且,当形变量大于6%时,形变量越大,析出相对强度的贡献越高.

摘要： 以湿式浸渍法将非贵金属Ni负载在复合载体ZrO_(2)-CeO_(2)上来制备新型生物质能源催化剂,使用大角XRD,TEM,HRTEM和氮气吸附脱附等表征技术研究Ni/ZrO_(2)-CeO_(2)催化剂的各种理化性质,并对其进行分析。

摘要： 某地需在老旧采空区范围内建造储存仓库,现已对建筑范围内采空区注浆,为探测采空区注浆效果保障建筑安全,根据现场环境,通过对比分析多种物探方法,决定采用TEM方法对注浆区域进行检测。经现场试验,取得适合该区的施工参数并严格按照施工参数施工。经后期室内数据分析处理,得到该区域视电阻率剖面及-60 m等深切片成果,将检测成果与注浆资料和采空区矿井资料相结合,对比分析勘探成果与已知采空区空间位置信息,结果表明采空区域视电阻率等值线平滑,没有明显的波动现象,说明采空区注浆效果良好。研究结果表明,采用TEM可以较好地检测采空区的注浆效果,为以后采空区注浆治理效果检测等提供了一种较好的检测方法。

摘要： 为了预防民航不安全事件的发生,应用机组威胁与差错管理(TEM)模型分析2014—2020年民航事故/征候的航空安全报告资料,提取事件里存在于民航运行风险中潜在的情况、威胁、机组差错等因素,通过改进的关联规则方法挖掘其中的关联关系,包括挖掘与事件严重程度有关的因素,找到TEM模型中的关键因素和影响航空器结束状态的致因因素,并进行关联网络图分析。研究结果表明:手动操纵/飞行控制差错、缺少/不足的飞行培训和安全管理、飞行员之间沟通差错与程序执行错误是造成事故/征候的显著因素;关联规则能够有效利用航空安全报告信息,通过定量的方法挖掘事故/征候的特征,找到影响民航不安全事件的强关联因素,为民航安全管理人员提供决策依据。

摘要： 锂氧电池具有很高的理论比容量,作为锂离子电池的潜在高能替代品引起研究者极大兴趣。而阴极材料的选择和优化是提高锂氧电池性能的有效手段。为此,本文作者制备了可以同时实现高孔隙率和大比表面积的分级纳米多孔金(h⁃NPG),以此为阴极的锂氧电池展现出了优异的性能。而阻碍锂氧电池达到高理论比容量的一个重要原因是,电绝缘的放电产物过氧化锂(Li2O_(2))会使电池阴极钝化,导致电池的容量迅速衰减和充放电循环次数降低。因此本文利用透射电镜(TEM)和电子能量损失谱(EELS)精准表征了锂氧电池阴极h⁃NPG在充放电过程中过氧化锂(Li2O_(2))产物的微观结构演化,进而分析了Li2O_(2)对阴极分级纳米孔道的影响,为新型阴极多孔材料提供了优化设计思路与失效判据。

摘要： 采用XRD、TEM、BET等表征手段,系统研究了pH值对化学液相沉淀法制备氢氧化铝的晶型、形貌和比表面积的影响.结果 表明,随着溶液pH值从3增加到11,所得氢氧化铝依次为多孔性无定型[Al(OH)3·niH2O]、片状勃姆石[γ'-AlOOH]、颗粒状拜耳石[β-Al(OH)3],pH在8～9生成的勃姆石型氢氧化铝的比表面积最大.

摘要： The deformation mechanism of CoCrNi alloy with high density of annealing twins was studied by in situ transmission electron microscopy. Dislocation transmission and reflection at the twin boundary were observed during in situ loading. We characterized these reaction processes by combining TEM, dislocation theory and crystallography of twin. Twin boundary not only strengthens the material by impeding the motion of dislocation, but also acts as dislocation source to produce large of slip bands. These processes generate large of slip bands to accommodate the plastic deformation or strengthening material.

摘要： 本文旨在分析利奇的意义分类在TEM中的体现,及其对备考TEM的启示。文中选取了与TEM联系密切的四个意义,举例讨论了它们与各题型之间的联系,为有效备考TEM提出具体建议。

摘要： 本文研究了利用MOVPE技术在Ge衬底上生长GaInP薄膜的结构及表面性质。高分辨透射电镜(TEM)结果显示Ge衬底上生长的GaInP材料没有发现反向筹(APDs)和位错。原子力显微镜(AFM)结果表明,GaInP外延簿膜的表面形貌主要受GaInP本身性质的影响。掺Si不仅可以增加GaInP的无序度，提高带隙宽度，而且会使材料表面变光滑。在同样的生长条件下，使用偏角大的Ge衬底也可以降低材料表面的粗糙度。

摘要： 本文研究了利用MOVPE技术在Ge衬底上生长GaInP薄膜的结构及表面性质。高分辨透射电镜(TEM)结果显示Ge衬底上生长的GaInP材料没有发现反向筹(APDs)和位错。原子力显微镜(AFM)结果表明,GaInP外延簿膜的表面形貌主要受GaInP本身性质的影响。掺Si不仅可以增加GaInP的无序度，提高带隙宽度，而且会使材料表面变光滑。在同样的生长条件下，使用偏角大的Ge衬底也可以降低材料表面的粗糙度。

摘要： 本文研究了利用MOVPE技术在Ge衬底上生长GaInP薄膜的结构及表面性质。高分辨透射电镜(TEM)结果显示Ge衬底上生长的GaInP材料没有发现反向筹(APDs)和位错。原子力显微镜(AFM)结果表明,GaInP外延簿膜的表面形貌主要受GaInP本身性质的影响。掺Si不仅可以增加GaInP的无序度，提高带隙宽度，而且会使材料表面变光滑。在同样的生长条件下，使用偏角大的Ge衬底也可以降低材料表面的粗糙度。

摘要： 本文研究了利用MOVPE技术在Ge衬底上生长GaInP薄膜的结构及表面性质。高分辨透射电镜(TEM)结果显示Ge衬底上生长的GaInP材料没有发现反向筹(APDs)和位错。原子力显微镜(AFM)结果表明,GaInP外延簿膜的表面形貌主要受GaInP本身性质的影响。掺Si不仅可以增加GaInP的无序度，提高带隙宽度，而且会使材料表面变光滑。在同样的生长条件下，使用偏角大的Ge衬底也可以降低材料表面的粗糙度。

摘要： 本文研究了利用MOVPE技术在Ge衬底上生长GaInP薄膜的结构及表面性质。高分辨透射电镜(TEM)结果显示Ge衬底上生长的GaInP材料没有发现反向筹(APDs)和位错。原子力显微镜(AFM)结果表明,GaInP外延簿膜的表面形貌主要受GaInP本身性质的影响。掺Si不仅可以增加GaInP的无序度，提高带隙宽度，而且会使材料表面变光滑。在同样的生长条件下，使用偏角大的Ge衬底也可以降低材料表面的粗糙度。

摘要： 使用高能机械球磨法，首次以单质硅和石墨的混合粉体为初始原料，制备出了高质量的β-SiC纳米粉体。对球磨产物进行了XRD和TEM等表征，结果表明：球磨10h后，石墨粉完全非晶化，大部分硅粉也已经非晶化，而且已经有β-SiC纳米粉生成;球磨20h后，硅粉和石墨粉完全反应生成了单相的β-SiC纳米粉，平均晶粒尺寸约为20nm，但是团聚比较明显;球磨40h样品，平均晶粒尺寸约为12nm，而且样品分散性较好，为均匀的球形颗粒;继续增加球磨时间，虽然样品晶粒尺寸稍有减小，但是团聚又适渐变明显，而且样品中混入铁的量适渐增加。

摘要： 使用高能机械球磨法，首次以单质硅和石墨的混合粉体为初始原料，制备出了高质量的β-SiC纳米粉体。对球磨产物进行了XRD和TEM等表征，结果表明：球磨10h后，石墨粉完全非晶化，大部分硅粉也已经非晶化，而且已经有β-SiC纳米粉生成;球磨20h后，硅粉和石墨粉完全反应生成了单相的β-SiC纳米粉，平均晶粒尺寸约为20nm，但是团聚比较明显;球磨40h样品，平均晶粒尺寸约为12nm，而且样品分散性较好，为均匀的球形颗粒;继续增加球磨时间，虽然样品晶粒尺寸稍有减小，但是团聚又适渐变明显，而且样品中混入铁的量适渐增加。

摘要： 使用高能机械球磨法，首次以单质硅和石墨的混合粉体为初始原料，制备出了高质量的β-SiC纳米粉体。对球磨产物进行了XRD和TEM等表征，结果表明：球磨10h后，石墨粉完全非晶化，大部分硅粉也已经非晶化，而且已经有β-SiC纳米粉生成;球磨20h后，硅粉和石墨粉完全反应生成了单相的β-SiC纳米粉，平均晶粒尺寸约为20nm，但是团聚比较明显;球磨40h样品，平均晶粒尺寸约为12nm，而且样品分散性较好，为均匀的球形颗粒;继续增加球磨时间，虽然样品晶粒尺寸稍有减小，但是团聚又适渐变明显，而且样品中混入铁的量适渐增加。

摘要： 使用高能机械球磨法，首次以单质硅和石墨的混合粉体为初始原料，制备出了高质量的β-SiC纳米粉体。对球磨产物进行了XRD和TEM等表征，结果表明：球磨10h后，石墨粉完全非晶化，大部分硅粉也已经非晶化，而且已经有β-SiC纳米粉生成;球磨20h后，硅粉和石墨粉完全反应生成了单相的β-SiC纳米粉，平均晶粒尺寸约为20nm，但是团聚比较明显;球磨40h样品，平均晶粒尺寸约为12nm，而且样品分散性较好，为均匀的球形颗粒;继续增加球磨时间，虽然样品晶粒尺寸稍有减小，但是团聚又适渐变明显，而且样品中混入铁的量适渐增加。

摘要： 使用高能机械球磨法，首次以单质硅和石墨的混合粉体为初始原料，制备出了高质量的β-SiC纳米粉体。对球磨产物进行了XRD和TEM等表征，结果表明：球磨10h后，石墨粉完全非晶化，大部分硅粉也已经非晶化，而且已经有β-SiC纳米粉生成;球磨20h后，硅粉和石墨粉完全反应生成了单相的β-SiC纳米粉，平均晶粒尺寸约为20nm，但是团聚比较明显;球磨40h样品，平均晶粒尺寸约为12nm，而且样品分散性较好，为均匀的球形颗粒;继续增加球磨时间，虽然样品晶粒尺寸稍有减小，但是团聚又适渐变明显，而且样品中混入铁的量适渐增加。

摘要： 本申请公开了一种平面TEM样品的制备方法及平面TEM样品，该制备方法将待测样品置于样品台上；控制样品台倾斜至52度；在待测样品的表面构建目标制样区域；使用离子束刻蚀得到目标矩形样品；控制样品台倾斜至‑10度；使用离子束进行刻蚀，得到目标锲形体，目标锲形体的第一锲形表面与第二锲形表面的交汇处能够将目标锲形体的底部从待测样品中分割出来；将样品台倾斜至零度；控制纳米机械手提取出目标锲形体，并在旋转90度后，将目标锲形体焊接至标准铜网上并减薄到目标厚度，得到平面TEM样品。上述制备方法通过控制样品台的倾斜角度，使目标锲形体中两个锲形表面在交汇的过程中，将目标锲形体从待测样品中分割出来。

摘要： 本发明提供了一种TEM样品以及制备TEM样品的方法，包括：在待制备样品上形成保护层；沿所述保护层的两侧向所述待制备样品的中间部分减薄，并在其中一侧减薄至预设条件时，逐步缩小加工区域，以通过在墩子和薄区之间保留阶梯状的过渡区域来形成厚度均匀的薄区。由于墩子与薄区相连，且墩子位于薄区的两端，因此，通过保留阶梯状的过渡区域，可以逐步改变薄区边缘受到墩子拉力的受力点的位置，从而通过改变受力点位置可以减小薄区远离墩子的中间区域与靠近墩子的边缘区域的拉力差异，进而可以提高大范围薄区的均匀性，使得制备的TEM样品满足TEM自动拍图量测的要求。

摘要： 本发明涉及高功率微波技术领域一种同轴TEM模式变换到扇形TE

摘要： 本发明的实施例提供了一种TEM截面样品的制备方法和TEM截面样品，涉及纳米材料技术领域，其首先制备带有标记槽的待处理样品，且待处理样品的观测区域与标记槽在待处理样品的延展方向上间隔设置，然后对待处理样品上具有标记槽的表面进行减薄处理，以扩大标记槽的宽度和深度，当标记槽的边缘到达观测区域时，停止离子束减薄处理。相较于现有技术，本发明在观测区域附近引入标记槽，从而实现对样品进行定向减薄，进而实现减薄样品的厚度可控，当标识槽底部到达观测时，停止离子束减薄，有效解决了减薄过程中截面样品观测处被去除掉的问题，极大提高了截面样品的制备成功率和测试效率，有效降低了截面样品的制备成本，缩短了制备时间。

摘要： 本发明提供一种同心锥型TEM室的内外导体设计方法及同心锥型TEM室，该设计方法包括S1、根据方程一计算得到不同高度处的外导体半径：Y_out＝0.176x+1.46方程一；其中，x为高度，Y_out为在x高度处的外导体半径；S2、根据方程二计算得到不同高度处的内导体半径：方程二；其中，x为高度，Y_in为在x高度处的内导体半径。通过设计同心锥形TEM室传输段的内外导体，有效地减少了高阶模的数量且提高了高阶模截止频率，提高同心锥形TEM室腔体标准场性能。

摘要： 本发明的提供一种OLED的TEM样品制备方法，在OLED样品的所述切割区域设置金属有机气体化合物，通过FIB将所述金属有机气体化合物进行分解沉积在所述切割区域表面形成保护层；在表面沉积有保护层的所述切割区域，挖设两个相交的槽形成待取样的样品，将所述待取样的样品加工成楔形的形状，其中，加工后的所述待取样的样品的两个横截面沿着其相交的一端到另一端的厚度均不相同；将待取样的样品的底部切断，通过探针固定待取样的样品，切断待取样的样品剩余与样品连接的部分，得到初步的TEM样品；将初步的TEM样品放置于铜网上进行减薄，获得最终的TEM样品。能够在单个样品的横截面拥有不同的厚度，清楚辨别不同材料层之间的界面，从而量测不同材料层的厚度。

摘要： 本发明提供木材切片作为TEM载网的应用，还提供一种TEM载网及其制备方法，通过将木材软化、切片，将所得的木材切片经碱溶液处理，然后经清洗、干燥和裁剪成TEM载网大小即得TEM载网。本发明的载网廉价易得、制备工艺简单、绿色环保、可耐酸碱及由于木材表面富含羟基而具有优异的亲水性等优点，且能够准确、清晰表征样品的形貌和结构，所测得数据具有很好的可靠性，可以广泛应用于透射电镜测试领域，具有十分诱人的商业化应用前景。

摘要： 本申请公开了一种平面TEM样品的制备方法及平面TEM样品，该制备方法将待测样品置于样品台上；控制样品台倾斜至52度；在待测样品的表面构建目标制样区域；使用离子束刻蚀得到目标矩形样品；控制样品台倾斜至‑10度；使用离子束进行刻蚀，得到目标锲形体，目标锲形体的第一锲形表面与第二锲形表面的交汇处能够将目标锲形体的底部从待测样品中分割出来；将样品台倾斜至零度；控制纳米机械手提取出目标锲形体，并在旋转90度后，将目标锲形体焊接至标准铜网上并减薄到目标厚度，得到平面TEM样品。上述制备方法通过控制样品台的倾斜角度，使目标锲形体中两个锲形表面在交汇的过程中，将目标锲形体从待测样品中分割出来。

摘要： 本发明提供了一种TEM样品以及制备TEM样品的方法，包括：在待制备样品上形成保护层；沿所述保护层的两侧向所述待制备样品的中间部分减薄，并在其中一侧减薄至预设条件时，逐步缩小加工区域，以通过在墩子和薄区之间保留阶梯状的过渡区域来形成厚度均匀的薄区。由于墩子与薄区相连，且墩子位于薄区的两端，因此，通过保留阶梯状的过渡区域，可以逐步改变薄区边缘受到墩子拉力的受力点的位置，从而通过改变受力点位置可以减小薄区远离墩子的中间区域与靠近墩子的边缘区域的拉力差异，进而可以提高大范围薄区的均匀性，使得制备的TEM样品满足TEM自动拍图量测的要求。

摘要： 本实用新型提供了一种TEM样品杆及TEM机台。所述TEM样品杆包括杆身、位于所述杆身的一端的样品放置部、与所述杆身的另一端连接的手持部以及设置于所述手持部的气泡平衡仪。应用本实用新型提供的TEM样品杆，可以监控并以此调节实际操作过程中TEM样品杆的水平度及角度，从而改善TEM机台主体仓破真空的问题。