在(La,Sr)(Al,Ta)O₃上制备ZnO单晶薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在(La，Sr)(Al，Ta)O₃上制备ZnO单晶薄膜的方法，其步骤为：对LSAT(111)衬底表面进行低温氧等离子体预处理；然后在超高真空及低温下沉积镁超薄层，再升高衬底温度对镁超薄层进行退火处理，让镁原子在LSAT(111)衬底上迁移、脱附，最后获得极薄镁吸附层，从而实现ZnO薄膜按晶格小失配外延取向生长，制备得到单一O极性、单一畴的原子级光滑的高质量ZnO薄膜。本发明首次提出LSAT(111)衬底表面的镁吸附方法，有效地控制了ZnO的外延取向，克服了现有方法ZnO薄膜按大失配(18.9%)外延取向生长所造成的薄膜应变大、缺陷密度高等问题，所得的光滑ZnO薄膜具有很高的晶体质量与光电性能，完全满足制作高性能光电子器件的要求。